NPN-Typ

PNP-Typ

Der Emitterbereich weist die höchste Dotierungskonzentration auf

Die Dotierungskonzentration des Kollektorbereichs ist geringer als die des Emitterbereichs und die Fläche ist groß

Die Grundfläche ist sehr dünn, im Allgemeinen zwischen einigen Mikrometern und mehreren Dutzend Mikrometern, und weist die niedrigste Dotierungskonzentration auf.

Äußere Bedingungen: Der Emitterübergang ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt, der Kollektorübergang ist in Sperrrichtung vorgespannt

Interne Bedingungen: Die Störstellenkonzentration im Emitterbereich ist viel größer als die Störstellenkonzentration im Basisbereich und der Basisbereich ist sehr dünn

Verbindungsmethode: Verbindungsmethode im Einklang mit drei Konfigurationen

Emissionszone: Emittierende Träger

Sammelbereich: Sammelt Träger

Basisregion: Transport und Kontrolle von Trägern

Gemeinsamer Emitteranschluss (CE)

Gemeinsamer Basisanschluss (CB)

Gemeinsamer Kollektoranschluss (CC)

Statisch: Es werden nur Gleichstromsignale berücksichtigt, d. h. vi = 0, das Potenzial jedes Punkts bleibt unverändert (Gleichstrom-Arbeitszustand), dargestellt durch den Q-Punkt

Dynamisch: Es werden nur Wechselstromsignale berücksichtigt, d. h. vi ist nicht 0 und das Potenzial jedes Punkts ändert sich (Wechselstrom-Arbeitszustand).

Gleichstrompfad: keine Änderung im Stromkreis, Kondensator → offener Stromkreis, Induktivität → Kurzschluss

Wechselstrompfad: Kondensator → Kurzschluss im Stromkreis, Induktivität → offener Stromkreis, Kurzschluss der Gleichstromversorgung zum gemeinsamen Anschluss

DC-Betriebswerte IB, IC, VCE

gewinnen

Eingangswiderstand Ri

Ausgangswiderstand Ro

Passband

Alle Kondensatoren sind kurzgeschlossen

Gleichstrom entspricht einem Kurzschluss nach Masse

Das Signal wird von der Basis eingegeben und von der Kollektor-Emitter-Verstärkerschaltung ausgegeben

Das Signal wird von der Basis eingegeben und von der Emitter-Kollektor-Verstärkerschaltung ausgegeben

Das Signal wird vom Emitter eingegeben und vom Kollektor-Basis-Kreis ausgegeben

Wenn das Potential am Punkt b bei Temperaturänderungen grundsätzlich unverändert bleibt, kann die Stabilität des statischen Arbeitspunktes erreicht werden.