NPNタイプ

PNPタイプ

エミッタ領域のドーピング濃度が最も高い

コレクタ領域のドーピング濃度はエミッタ領域のドーピング濃度よりも低く、面積は大きい

ベース領域は非常に薄く、通常は数ミクロンから数十ミクロンであり、ドーピング濃度は最も低くなります。

外部条件: エミッタ接合は順バイアス、コレクタ接合は逆バイアスです。

内部条件: エミッタ領域の不純物濃度はベース領域の不純物濃度よりもはるかに高く、ベース領域は非常に薄い

接続方法: 3 つの構成に一致する接続方法

放出ゾーン: 放出キャリア

コレクターエリア: キャリアを収集します

ベース領域: キャリアの輸送と制御

エミッタコモン接続（CE）

ベースコモン接続（CB）

コレクタ接続(CC)

静的: DC 信号のみが考慮されます。つまり、vi=0、各ポイントの電位は変化しません (DC 動作状態)。Q ポイントで表されます。

動的: AC 信号のみが考慮されます。つまり、vi は 0 ではなく、各ポイントの電位が変化します (AC 動作状態)。

DCパス：回路に変化なし、コンデンサ→開放、インダクタ→短絡

AC経路：コンデンサ→回路内短絡、インダクタ→開放、DC電源から共通端子への短絡

DC動作値IB、IC、VCE

得

入力抵抗 Ri

出力抵抗 Ro

通過帯域

すべてのコンデンサがショートしています

DC 電源はアースへの短絡と同等です

信号はベースから入力され、コレクタ－エミッタ接地増幅回路から出力されます。

信号はベースから入力され、エミッタ－コレクタ接地増幅回路から出力されます。

信号はエミッタから入力され、コレクタ－ベース接地回路から出力されます。

温度が変化しても点 b の電位が基本的に変化しない場合、静的動作点の安定性が達成されます。