Galeria de mapas mentais Mapa Mental de Física-Semicondutores
Um mapa mental sobre física de semicondutores, incluindo elétrons livres, cristais, semicondutores intrínsecos, etc. Espero que ajude a todos.
Editado em 2023-11-21 23:29:50Microbiologia medica, Infezioni batteriche e immunità riassume e organizza i punti di conoscenza per aiutare gli studenti a comprendere e ricordare. Studia in modo più efficiente!
La teoria cinetica dei gas rivela la natura microscopica dei fenomeni termici macroscopici e le leggi dei gas trovando la relazione tra quantità macroscopiche e quantità microscopiche. Dal punto di vista del movimento molecolare, vengono utilizzati metodi statistici per studiare le proprietà macroscopiche e modificare i modelli di movimento termico delle molecole di gas.
Este é um mapa mental sobre uma breve história do tempo. "Uma Breve História do Tempo" é um trabalho científico popular com influência de longo alcance. Ele não apenas introduz os conceitos básicos da cosmologia e da relatividade, mas também discute os buracos negros e a expansão. Do universo. questões científicas de ponta, como inflação e teoria das cordas.
Microbiologia medica, Infezioni batteriche e immunità riassume e organizza i punti di conoscenza per aiutare gli studenti a comprendere e ricordare. Studia in modo più efficiente!
La teoria cinetica dei gas rivela la natura microscopica dei fenomeni termici macroscopici e le leggi dei gas trovando la relazione tra quantità macroscopiche e quantità microscopiche. Dal punto di vista del movimento molecolare, vengono utilizzati metodi statistici per studiare le proprietà macroscopiche e modificare i modelli di movimento termico delle molecole di gas.
Este é um mapa mental sobre uma breve história do tempo. "Uma Breve História do Tempo" é um trabalho científico popular com influência de longo alcance. Ele não apenas introduz os conceitos básicos da cosmologia e da relatividade, mas também discute os buracos negros e a expansão. Do universo. questões científicas de ponta, como inflação e teoria das cordas.
Física de Semicondutores
elétrons livres
expressão vetorial de onda k
cristal
Densidade atômica
cíclico
semicondutor intrínseco
semicondutor extrínseco
defeito
Defeitos pontuais: lacunas Defeitos de linha: lacunas Defeitos planos: falhas de empilhamento e limites de grãos
dualidade onda-partícula
tamanho pequeno
Volatilidade
Tamanho grande
natureza das partículas
Equação de Schrödinger
Teorema de Bloch
Zona de Brillouin
semicondutor intrínseco
conceito
Largura do intervalo de banda
Silício Si=1,12eV Germânio Ge=0,67eV Arsenieto de gálio GaAs=1,43eV
maioria
Alta temperatura e fácil transição
massa efetiva
Massa efetiva da estrutura eletrônica
massa efetiva de densidade de estado
Massa efetiva de condutividade
Características
Energia quase cinética
A concentração do buraco de elétrons é igual
semicondutor de impureza
Tipos de impurezas
brecha
substituto
semicondutor tipo n
Nível de energia do doador
liberar elétrons
Família V
semicondutor tipo p
Nível de energia do aceitador
elétrons ligados
Grupo III
posição do nível de energia
semicondutor não degenerado
Nível de energia raso
Energia de ionização doadora
Energia de ionização do aceitador
compensar
Existem tipos p e n
nível de energia profundo
vários níveis de energia
longa distância
centro de composição
Recombinar um par elétron-buraco
efeito de armadilha
capturar uma transportadora
Semicondutor fracamente degenerado
Semicondutor Degenerado
O nível de Fermi não está na faixa proibida
distribuição de operadora
conceito de nível de energia
nível de banda de energia
densidade de estado
parte inferior do condutor
faixa de preço superior
função de distribuição eletrônica de probabilidade
Função de distribuição de Fermi
Nível de Fermi
Função de distribuição de Boltzmann
Concentração (não degenerada)
concentração de elétrons na banda de condução
Densidade efetiva de estados na banda de condução
Concentração de buracos de banda de valência
Densidade efetiva de estados na banda de valência
produto de concentração
Nível de impureza
Nível de energia do doador
probabilidade eletrônica
Degeneração do estado fundamental do nível de energia do doador
Geralmente leva 2
Concentração de elétrons no nível de energia do doador
Concentração de doadores ionizados
Nível de energia do aceitador
probabilidade de buraco
Degeneração do estado fundamental do nível de energia do aceitador
Geralmente leva 4
Concentração do buraco no nível de energia do aceitador
Concentração de aceitadores ionizantes
temperatura
doador
Zona de ionização fraca de baixa temperatura
Ionização forte (zona de saturação)
Concentração de doadores sindicalizados
Zona de transição
zona intrínseca de alta temperatura
destinatário
Zona de ionização fraca de baixa temperatura
Ionização forte (zona de saturação)
Concentração de aceitadores sindicalizados
Zona de transição
zona intrínseca de alta temperatura
condutividade
conceito
Condutividade
Resistividade
n tipo
tipo p
Intrínseco
espalhamento
Dispersão de impurezas ionizadas (i)
Concentração de impurezas
Dispersão vibracional em rede
Dispersão de ondas acústicas
Espalhamento de onda óptica (o)
Energia fônon
Outra dispersão
relacionamento de fórmula
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
mobilidade
desequilíbrio
portadores minoritários
conceito
concentração
pequena injeção
Portadores fora de equilíbrio são muito menores que a concentração de multiportadores
grande injeção
Existem muito mais portadores fora de equilíbrio do que a concentração de multiportadores
Concentração de portadores fora de equilíbrio
Tempo de vida: o tempo para a concentração de portadores fora de equilíbrio reduzir para 1/e
Nível quase-Fermi
Nível quase-Fermi eletrônico
Buraco nível quase-Fermi
produtos
Correspondência entre concentração e nível de energia
complexo
forma
emitir fótons
brilho
emitir fônons
vibração de rede
Composto de sem-fim
Aumentar a energia cinética do portador
processo
interno
direto
taxa de capitalização líquida direta
Forte tipo n Forte tipo p intrínseco
indireto
4 processos
Emite elétrons e buracos
Capturar elétrons e buracos
parâmetro
Concentração de elétrons do nível de energia do centro de recombinação
concentração do centro de recombinação
taxa composta líquida
vida
Capturar seção transversal
superfície
armadilha
concentração de acumulação de elétrons no nível de energia da armadilha
Nível de energia da armadilha
nível de energia profundo
movimento de difusão
solução universal
n tipo
grosso o suficiente
densidade de fluxo de difusão
Deve ser grosso (W)
Comprimento de difusão
Densidade atual
deriva
Diferença potencial
difusão
diferença de concentração
O relacionamento de Einstein
Resumir
双极输运方程
小注入n型
小注入p型
simplificar
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合
junção pn
região de carga espacial
Diferença potencial
Si0,7 Ge0,3
A tendência direta torna-se menor e a tendência reversa torna-se maior
junção pn ideal
parâmetro
Poucas crianças desequilibradas
Densidade atual
Conectividade unidirecional
Corrente de saturação reversa
J aumenta com a temperatura
real
Viés positivo
a. Corrente de recombinação de barreira
Densidade de corrente de recombinação
b. Corrente de difusão
c. Grande injeção
d. Linear (efeito de resistência em série)
polarização inversa
Barreira potencial produz corrente
gerar corrente
discriminação
colapso da avalanche
efeito multiplicador
coeficiente de temperatura positivo
quebra do túnel
Passe pela zona proibida
coeficiente de temperatura negativo
ruptura térmica
instabilidade térmica
capacitância
Distribuição de impurezas
largura da barreira
capacitância de barreira
Capacitância de difusão
nó de mutação
junção de grau linear
efeito túnel
A largura de banda proibida é muito estreita
Frequência extremamente alta, temperatura extremamente alta
resistência negativa
EM
conceito
função no trabalho
função de trabalho em metal
altura da barreira metálica
Função de trabalho semicondutor
altura da barreira semicondutora
Tensão aplicada
barreira de semicondutores
barreira metálica
inalterado
constante
retificador
tocar
Retificando contato
teoria da difusão
camada de barreira espessa
Movimento da transportadora = difusão de deriva
Largura da camada de esgotamento
Mudanças com tensão, não saturada
Teoria da emissão termiônica
além das barreiras
Constante de Richardson efetiva
Independente da tensão, função da temperatura
Poder do espelho
Carga positiva induzida por metal
posição máxima da barreira
Redução de barreira
efeito túnel
barreira de penetração
Redução de barreira
espessura crítica da barreira
Diodos Schottky
alta frequência
Grande corrente de saturação reversa
Tensão de condução direta mais baixa - 0,3 V
Contato ôhmico
barreira fina
Penetrar barreira
Metais - Semicondutores fortemente dopados - Semicondutores dopados
estado de superfície
SIM
parâmetro
condições ideais
tipo p
estado
faixa de energia superficial
Tensão
Intensidade do campo elétrico na superfície
densidade de carga superficial
capacitância por unidade de área
acumulação multi-criança
cinto plano
Esgotamento de muitos filhos
Antítipo
antítipo fraco
antítipo forte
real
A diferença nas funções de trabalho entre metais e semicondutores é zero
tensão de banda plana
Não há carga dentro da camada isolante e a camada isolante é completamente não condutora
Não há estado de interface na interface entre isolador e semicondutor
Características CV
Passe alta frequência de baixa impedância
n tipo
Chen Peiming
junção pn
efeito túnel
A largura de banda proibida é muito estreita
Frequência extremamente alta, temperatura extremamente alta
resistência negativa
capacitância
Distribuição de impurezas
largura da barreira
capacitância
Capacitância de difusão
nó de mutação
junção de grau linear
junção pn ideal
Poucas crianças desequilibradas
Densidade atual
Conectividade unidirecional
Corrente de saturação reversa
J aumenta com a temperatura
Viés positivo
a. Corrente de recombinação de barreira
Densidade de corrente de recombinação
b. Corrente de difusão
c. Grande injeção
d.
polarização inversa
Barreira potencial produz corrente
gerar corrente
discriminação
colapso da avalanche
efeito multiplicador
coeficiente de temperatura positivo
quebra do túnel
Passe pela zona proibida
coeficiente de temperatura negativo
ruptura térmica
instabilidade térmica
região de carga espacial
Diferença potencial
Si0,7 Ge0,3
A tendência direta torna-se menor e a tendência reversa torna-se maior
Banda de energia e distribuição de portadores em equilíbrio térmico
básico
aproximação de elétron único
por centímetro cúbico
Silício 5*10E22
Germânio 2,42*10E22
O número efetivo de átomos em uma célula unitária de diamante é 8
elétrons livres
expressão vetorial de onda k
Largura do intervalo de banda
Diamante 6 ~ 7eV, silício 1,12eV, germânio 0,67eV, arsenieto de gálio 1,43eV
A alta temperatura fica menor
massa efetiva
A banda de valência é negativa
Energia quase cinética
buraco
semicondutor de impureza
Impurezas
brecha
substituto
semicondutor tipo n
Nível de energia do doador
liberar elétrons
Família V
semicondutor tipo p
Nível de energia do aceitador
elétrons ligados
Grupo III
nível de energia
semicondutor não degenerado
Nível de energia raso
Energia de ionização doadora
Energia de ionização do aceitador
compensar
Existem tipos p e n
nível de energia profundo
vários níveis de energia
longa distância
centro de composição
Recombinar um par elétron-buraco
efeito de armadilha
capturar uma transportadora
Semicondutor fracamente degenerado
Semicondutor Degenerado
O nível de Fermi não está na faixa proibida
distribuição de operadora
nível de banda de energia
densidade de estado
parte inferior do condutor
faixa de preço superior
função de distribuição eletrônica de probabilidade
Função de distribuição de Fermi
Nível de Fermi
Função de distribuição de Boltzmann
Concentração (não degenerada)
concentração de elétrons na banda de condução
Densidade efetiva de estados na banda de condução
Concentração de buracos de banda de valência
Densidade efetiva de estados na banda de valência
produto de concentração
concentração intrínseca
Nível de impureza
Nível de energia do doador
probabilidade eletrônica
Degeneração do estado fundamental do nível de energia do doador
Geralmente leva 2
Concentração de elétrons no nível de energia do doador
Concentração de doadores ionizados
Nível de energia do aceitador
probabilidade de buraco
Degeneração do estado fundamental do nível de energia do aceitador
Geralmente leva 4
Concentração do buraco no nível de energia do aceitador
Concentração de aceitadores ionizantes
temperatura
doador
Zona de ionização fraca de baixa temperatura
Ionização forte (zona de saturação)
Concentração de doadores sindicalizados
Zona de transição
zona intrínseca de alta temperatura
destinatário
Zona de ionização fraca de baixa temperatura
Ionização forte (zona de saturação)
Concentração de aceitadores sindicalizados
Zona de transição
zona intrínseca de alta temperatura
fenômeno de transporte transportador
condutividade
Condutividade
Resistividade
n tipo
tipo p
Intrínseco
espalhamento
Dispersão de impurezas ionizadas (i)
Concentração de impurezas
Dispersão vibracional em rede
Dispersão de ondas acústicas
Espalhamento de onda óptica (o)
Energia fônon
Outra dispersão
relacionamento de fórmula
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
mobilidade
desequilíbrio
portadores minoritários
concentração
pequena injeção
Portadores fora de equilíbrio são muito menores que a concentração de multiportadores
grande injeção
Existem muito mais portadores fora de equilíbrio do que a concentração de multiportadores
Concentração de portadores fora de equilíbrio
Tempo de vida: o tempo para a concentração de portadores fora de equilíbrio reduzir para 1/e
Nível quase-Fermi
Nível quase-Fermi eletrônico
Buraco nível quase-Fermi
produtos
Correspondência entre concentração e nível de energia
complexo
forma
emitir fótons
brilho
emitir fônons
vibração de rede
Composto de sem-fim
Aumentar a energia cinética do portador
processo
interno
direto
taxa de capitalização líquida direta
Forte tipo n Forte tipo p intrínseco
indireto
4 processos
Emite elétrons e buracos
Capturar elétrons e buracos
parâmetro
Concentração de elétrons do nível de energia do centro de recombinação
concentração do centro de recombinação
taxa composta líquida
vida
Capturar seção transversal
superfície
armadilha
concentração de acumulação de elétrons no nível de energia da armadilha
Nível de energia da armadilha
nível de energia profundo
movimento de difusão
solução universal
n tipo
grosso o suficiente
densidade de fluxo de difusão
Deve ser grosso (W)
Comprimento de difusão
Densidade atual
deriva
Diferença potencial
difusão
diferença de concentração
O relacionamento de Einstein
equação de transporte bipolar
Injeção pequena tipo n
Injeção pequena tipo p
simplificar
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合