Galeria de mapas mentais Estrutura de conhecimento de circuitos eletrônicos analógicos
Estrutura de conhecimento de circuitos eletrônicos analógicos, incluindo: semicondutor, junção PN (PN), aplicação de diodo (aplicação de diodo), níveis de resistência (níveis de resistência).
Editado em 2023-01-08 20:11:01Microbiologia medica, Infezioni batteriche e immunità riassume e organizza i punti di conoscenza per aiutare gli studenti a comprendere e ricordare. Studia in modo più efficiente!
La teoria cinetica dei gas rivela la natura microscopica dei fenomeni termici macroscopici e le leggi dei gas trovando la relazione tra quantità macroscopiche e quantità microscopiche. Dal punto di vista del movimento molecolare, vengono utilizzati metodi statistici per studiare le proprietà macroscopiche e modificare i modelli di movimento termico delle molecole di gas.
Este é um mapa mental sobre uma breve história do tempo. "Uma Breve História do Tempo" é um trabalho científico popular com influência de longo alcance. Ele não apenas introduz os conceitos básicos da cosmologia e da relatividade, mas também discute os buracos negros e a expansão. Do universo. questões científicas de ponta, como inflação e teoria das cordas.
Microbiologia medica, Infezioni batteriche e immunità riassume e organizza i punti di conoscenza per aiutare gli studenti a comprendere e ricordare. Studia in modo più efficiente!
La teoria cinetica dei gas rivela la natura microscopica dei fenomeni termici macroscopici e le leggi dei gas trovando la relazione tra quantità macroscopiche e quantità microscopiche. Dal punto di vista del movimento molecolare, vengono utilizzati metodi statistici per studiare le proprietà macroscopiche e modificare i modelli di movimento termico delle molecole di gas.
Este é um mapa mental sobre uma breve história do tempo. "Uma Breve História do Tempo" é um trabalho científico popular com influência de longo alcance. Ele não apenas introduz os conceitos básicos da cosmologia e da relatividade, mas também discute os buracos negros e a expansão. Do universo. questões científicas de ponta, como inflação e teoria das cordas.
Diodo semicondutor
semicondutor
Material semicondutor
Ge
Si
GaAs
Semicondutores são eletricamente neutros para o mundo exterior
Semicondutor intrínseco
Definição: Um semicondutor puro completamente livre de impurezas e defeitos de cristal
Características
Concentração de elétrons = concentração de buraco
Má condutividade elétrica
Baixa concentração de portadores
À medida que a temperatura aumenta, o número de portadores aumenta
Excitação intrínseca: Quando a temperatura do semicondutor é T>0K, os elétrons se separam da ligação covalente para formar elétrons livres.
portadores intrínsecos
Buraco: Vacância formada quando um elétron se separa de uma ligação covalente e se torna um elétron livre.
Elétrons livres: os elétrons de valência quebram as ligações covalentes e formam elétrons em movimento livre
semicondutor de impureza
Semicondutor tipo N (tipo N)
Apresentando elementos 5-valentes (íons doadores)
fósforo
antimônio
arsênico
Características
eletricamente neutro
Alta condutividade
O quinto elétron extra não está associado a nenhuma ligação covalente específica
Semicondutor tipo P (tipo P)
Apresentando elementos trivalentes (íons aceitadores)
boro
gálio
índio
Características
eletricamente neutro
Não há elétrons suficientes para formar ligações covalentes, criando buracos
Junção PN (PN) junção
Formação: A região de impureza do tipo N está em contato próximo com uma região de impureza do tipo P, e uma região de depleção é gerada na junção.
Movimento de difusão do transportador: diferença de concentração
Muitos portadores (buracos) na região do tipo P difundem-se para a região do tipo N
Difusão de elétrons (elétrons) da região do tipo N para a região do tipo P
movimento de deriva
Os íons carregados presos (íons negativos do tipo P, íons positivos do tipo N) formam um campo elétrico autoconstruído, levando os portadores minoritários a se moverem em direção ao baixo potencial.
Características
A direção do campo elétrico interno da junção PN é da região N para a região P.
Tem condutividade unidirecional
A tensão externa faz com que a corrente flua de N para P, com alta resistência e pequena corrente.
A tensão externa faz com que a corrente flua de P para N, com baixa resistência e grande corrente.
Polarização direta: o terminal P está conectado ao positivo, o terminal N está conectado ao negativo, a camada de depleção torna-se mais estreita, agrava o movimento de difusão, evita o movimento de deriva e a junção PN é ativada
Polarização reversa: o terminal N é conectado ao eletrodo positivo, o terminal P é conectado ao eletrodo negativo, o campo elétrico interno é fortalecido, a camada de depleção torna-se mais ampla, a corrente de deriva vem da portadora minoritária, a corrente é muito pequena , e a junção PN é cortada
Equação de Shockley:
é a corrente de saturação reversa
é a tensão de polarização direta aplicada ao diodo
é o fator ideal, geralmente 1
Tensão térmica:
Constante k de Boltzmann
carregar q
repartição reversa
Avaria elétrica (reversível)
Análise Zener
colapso da avalanche
Ruptura térmica (irreversível)
Aplicação de diodo
Circuito equivalente de diodo
circuito equivalente ideal
A corrente flui do pólo positivo do diodo para o pólo negativo e o circuito é ligado
A corrente flui do pólo negativo do diodo para o pólo positivo e o circuito é desconectado
Circuito equivalente simplificado/aproximado
A tensão do diodo não pode ser ignorada. A tensão dos diodos de silício é geralmente 0,7V.
Circuito equivalente linear por partes
Modelo equivalente
Diodo ideal, ignore a tensão do diodo
Diodo simplificado
retificação de meia onda
Entrada CA, saída CC
retificação de onda completa
circuito limitador
Níveis de resistência
Resistência CA
Tipo de resistor
DC ou resistência estática
Resistência CC
AC ou resistência dinâmica
A resistência CA depende do ponto Q de operação CC no diodo
Resistência CA média
Definição de linha dentro do alcance
Software utilizado: Mindmaster
Transistores de Junção Bipolar
triodo
Tipo de transistor
NPN
PNP
estrutura
Coletor C
Emissor E
relação:
Base B
NPN
condições internas
A região de emissão é altamente dopada
Área de base fina
Grande área de junção do coletor
F
junção do emissor polarizada diretamente
polarização reversa da junção do coletor
Prazo final
estado ampliado
estado saturado
DC Biasing-BJTs
Distribuição atual
Distribuição de tensão
Lei de tensão de Kirchhoff
Princípio de amplificação
Configuração de polarização fixa
Loop base-emissor
Loop coletor-emissor
Saturação do Transistor
Análise de linha de carga
Circuito de polarização de estabilização de emissor
Como: Adicionar um resistor ao emissor pode melhorar a estabilidade do transistor
Loop base-emissor
Loop coletor-emissor
circuito de polarização do divisor de tensão
Fórmula
Análise Aproximada
Feedback de tensão polarização CC
Loop base-emissor
Loop coletor-emissor
Análise AC BJT
Amplificação do campo de comunicação
Função de fonte de alimentação CC
função de transistor
Modelagem de Transistores BJT
Rede CA
Remova a alimentação CC
Capacitores de acoplamento e capacitores de bypass podem ser substituídos por curtos-circuitos
Circuito equivalente CA
modelo de transistor re
Polarização fixa do emissor comum
juiz
juiz
juiz
polarização do divisor de tensão
juiz
juiz
Polarização do emissor CE
seguidor de emissor
juiz
Transistores de efeito de campo
Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
estrutura
canal n e canal p
Características de transferência JFET
Equação de Shockley
curva de transferência
relacionamento importante
JFET
BJT
Transistor de efeito de campo de porta isolada (MOSFET)
tipo
n canal
Aprimorado
tipo de esgotamento
Canal P
Aprimorado
tipo de esgotamento
Características (tipo de esgotamento de canal n)
Curva característica
comece
Diagrama de circuito
tipo de esgotamento
Aprimorado
Os principais parâmetros
Parâmetros CC
Ligue a tensão VT (parâmetro aprimorado)
Tensão de pinçamento VP (parâmetro do modo de esgotamento)
Corrente de fuga de saturação IDSS (parâmetro de modo de esgotamento)
Resistência de entrada CC RGS
Parâmetros CA
Resistência de saída rds
Condutância mútua de baixa frequência gm
Limitar parâmetros
analisar
Para todos os FETs
Para JFETs e MOSFETs de modo de esgotamento
MOSFETs aprimorados