Condições de equilíbrio térmico (portadores majoritários * concentração de portadores minoritários = quadrado das condições de neutralidade elétrica (portadores majoritários = portadores minoritários dopados);

A concentração de transportadores majoritários é aproximadamente igual à concentração de dopantes e não tem nada a ver com a temperatura; a concentração de transportadores minoritários aumenta significativamente à medida que a temperatura aumenta;

Quando a temperatura aumenta, os semicondutores de impureza se transformam em semicondutores intrínsecos

Movimento de difusão (diferença de concentração)

Movimento de deriva (força de campo elétrico)

Diferença de concentração, difusão multiportadora, geração de região de carga espacial, campo elétrico incorporado (dificulta a difusão multiportadora e facilita a deriva de portadoras minoritárias), equilíbrio dinâmico

Tensão direta, a direção do campo elétrico externo é oposta ao campo elétrico interno, a camada de depleção torna-se mais estreita, o movimento de difusão se intensifica (a concentração de políons aumenta) e a condutividade aumenta

Condução direta, bloqueio reverso

repartição reversa

Capacitância de Barreira (Diodo Varactor)

Capacitância de difusão

modelo ideal

Modelo de tensão constante (queda)

modelo polilinha

No ponto de operação estático, o diodo é equivalente a uma resistência dinâmica (resistência AC), rd=UT/ID Quanto maior o ponto Q, menor rd.

Características Volt-ampere (a área de ruptura é muito agitada)

Parâmetros principais

Resolver problemas

Usando a junção PN para ser sensível à luz

Características de condução de polarização direta (luzes LED, telas)

Características de capacitância de barreira

Três configurações

Coeficiente de amplificação atual: emissão comum b, base comum a

Duas equações (IE=IB IC,IC»bIB)

Área de corte, área de saturação, área de amplificação

À medida que a temperatura aumenta, a tensão de ativação do UBE(on) diminui, a corrente de saturação reversa da junção do coletor ICBO aumenta e b aumenta

modo de ampliação

modo de saturação

modo de corte

modelo equivalente de parâmetro h (modelo misto de sinal pequeno tipo Π), rbe=rbb` (fornecido na pergunta) bUT/ICQ