Condiciones de equilibrio térmico (portadores mayoritarios * concentración de portadores minoritarios = cuadrado de la concentración de portadores) condiciones de neutralidad eléctrica (portadores mayoritarios = portadores minoritarios dopados)

La concentración de portador mayoritario es aproximadamente igual a la concentración de dopante y no tiene nada que ver con la temperatura; la concentración de portador minoritario aumenta significativamente a medida que aumenta la temperatura.

Cuando la temperatura aumenta, los semiconductores impuros se convierten en semiconductores intrínsecos.

Movimiento de difusión (diferencia de concentración)

Movimiento de deriva (fuerza de campo eléctrico)

Diferencia de concentración, difusión multiportadora, generación de región de carga espacial, campo eléctrico incorporado (dificulta la difusión multiportadora y facilita la deriva de portadoras minoritarias), equilibrio dinámico

Voltaje directo, la dirección del campo eléctrico externo es opuesta al campo eléctrico interno, la capa de agotamiento se vuelve más estrecha, el movimiento de difusión se intensifica (la concentración de poliones aumenta) y la conductividad aumenta.

Conducción directa, bloqueo inverso.

avería inversa

Capacitancia de barrera (diodo varactor)

capacitancia de difusión

modelo ideal

Modelo de voltaje constante (caída)

modelo de polilínea

En el punto de funcionamiento estático, el diodo es equivalente a una resistencia dinámica (resistencia de CA), rd = UT/ID Cuanto mayor es el punto Q, menor es rd.

Características de voltios-amperios (el área de avería tiembla mucho)

Parámetros principales

Resolver problemas

Usando la unión PN para ser sensible a la luz

Características de conducción de polarización directa (luces LED, pantallas de visualización)

Características de capacitancia de barrera

Tres configuraciones

Coeficiente de amplificación actual: emisión común b, base común a

Dos ecuaciones (IE=IB IC,IC»bIB)

Área de corte, área de saturación, área de amplificación

A medida que aumenta la temperatura, el voltaje de encendido del UBE (encendido) disminuye, la corriente de saturación inversa de la unión del colector ICBO aumenta y b aumenta.

modo de ampliación

modo de saturación

modo de corte

Modelo equivalente de parámetro h (modelo de señal pequeña de tipo Π mixto), rbe=rbb` (indicado en el enunciado de la pregunta) bUT/ICQ