Galerie de cartes mentales Carte mentale Physique-Physique des semi-conducteurs
Une carte mentale sur la physique des semi-conducteurs, y compris les électrons libres, les cristaux, les semi-conducteurs intrinsèques, etc. J'espère que cela aide tout le monde.
Modifié à 2023-11-21 23:29:50Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
La gestion de projet est le processus qui consiste à appliquer des connaissances, des compétences, des outils et des méthodologies spécialisés aux activités du projet afin que celui-ci puisse atteindre ou dépasser les exigences et les attentes fixées dans le cadre de ressources limitées. Ce diagramme fournit une vue d'ensemble des 8 composantes du processus de gestion de projet et peut être utilisé comme modèle générique.
Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
La gestion de projet est le processus qui consiste à appliquer des connaissances, des compétences, des outils et des méthodologies spécialisés aux activités du projet afin que celui-ci puisse atteindre ou dépasser les exigences et les attentes fixées dans le cadre de ressources limitées. Ce diagramme fournit une vue d'ensemble des 8 composantes du processus de gestion de projet et peut être utilisé comme modèle générique.
Physique des semi-conducteurs
électrons libres
expression vectorielle d'onde k
cristal
Densité atomique
cyclique
semi-conducteur intrinsèque
semi-conducteur extrinsèque
défaut
Défauts ponctuels : lacunes Défauts linéaires : lacunes Défauts plans : défauts d'empilement et joints de grains
dualité onde-particule
petite taille
Volatilité
Grande taille
nature des particules
équation de Schrödinger
Théorème de Bloch
Quartier Brillouin
semi-conducteur intrinsèque
concept
Largeur de bande interdite
Silicium Si=1,12eV Germanium Ge=0,67eV Arséniure de gallium GaAs=1,43eV
la plupart
Température élevée et transition facile
masse efficace
Masse efficace de la structure électronique
état densité masse effective
Masse efficace de conductivité
Caractéristiques
Énergie quasi cinétique
La concentration de trous électroniques est égale
impureté semi-conducteur
Types d'impuretés
écart
remplaçant
semi-conducteur de type n
Niveau d'énergie du donneur
libérer des électrons
V famille
semi-conducteur de type p
Niveau d'énergie de l'accepteur
électrons liés
Groupe III
position du niveau d'énergie
semi-conducteur non dégénéré
Niveau d'énergie peu profond
Énergie d'ionisation du donneur
Énergie d'ionisation de l'accepteur
compenser
Il existe des types p et n
niveau d'énergie profond
plusieurs niveaux d'énergie
longue distance
centre de préparation
Recombiner une paire électron-trou
effet piège
capturer un transporteur
Semi-conducteur faiblement dégénéré
Semi-conducteur dégénéré
Le niveau de Fermi n'est pas dans la bande interdite
distribution par transporteur
notion de niveau d'énergie
niveau de bande d'énergie
densité d'état
fond de conducteur
haut de gamme de prix
fonction de distribution de probabilité électronique
Fonction de distribution de Fermi
Niveau de Fermi
Fonction de distribution Boltzmann
Concentration (non dégénérée)
concentration électronique dans la bande de conduction
Densité effective d'états dans la bande de conduction
Concentration du trou de la bande de Valence
Densité effective d'états dans la bande de valence
produit de concentration
Niveau d'impureté
Niveau d'énergie du donneur
probabilité électronique
Dégénérescence de l'état fondamental du niveau d'énergie du donneur
En général, j'en prends 2
Concentration électronique du niveau d'énergie du donneur
Concentration de donneurs ionisés
Niveau d'énergie de l'accepteur
probabilité de trou
Dégénérescence de l'état fondamental du niveau d'énergie de l'accepteur
En général, j'en prends 4
Concentration des trous du niveau d'énergie de l'accepteur
Concentration d'accepteur ionisant
température
donneur
Zone d'ionisation faible à basse température
Forte ionisation (zone de saturation)
Concentration de donneurs syndiqués
Zone de transition
zone intrinsèque à haute température
destinataire
Zone d'ionisation faible à basse température
Forte ionisation (zone de saturation)
Concentration d'accepteurs syndiqués
Zone de transition
zone intrinsèque à haute température
conductivité
concept
Conductivité
Résistivité
type n
type p
Intrinsèque
diffusion
Diffusion d'impuretés ionisées (i)
Concentration d'impuretés
Diffusion vibratoire sur réseau
Diffusion(s) d'ondes acoustiques
Diffusion des ondes optiques(o)
Énergie des phonons
Autre diffusion
relation de formule
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
mobilité
hors équilibre
porteurs minoritaires
concept
concentration
petite injection
Les porteurs hors équilibre sont beaucoup plus petits que la concentration multi-porteurs
grosse injection
Il y a beaucoup plus de porteurs hors équilibre que la concentration multi-porteurs
Concentration de porteurs hors équilibre
Durée de vie : le temps nécessaire à la concentration hors équilibre des porteurs pour réduire à 1/e
Niveau quasi-Fermi
Niveau électronique quasi-Fermi
Trou quasi-niveau de Fermi
produit
Correspondance entre concentration et niveau d’énergie
complexe
formulaire
émettre des photons
briller
émettre des phonons
vibration du réseau
Composé de tarière
Augmenter l'énergie cinétique du porteur
processus
interne
direct
taux composé direct net
Fort type n Fort intrinsèque de type p
indirect
4 processus
Émettre des électrons et des trous
Capturer les électrons et les trous
paramètre
Concentration électronique du niveau d'énergie du centre de recombinaison
concentration du centre de recombinaison
taux composé net
vie
Capturer une coupe transversale
surface
piège
concentration d'accumulation d'électrons au niveau d'énergie du piège
Niveau d'énergie du piège
niveau d'énergie profond
mouvement de diffusion
solution universelle
type n
assez épais
densité du flux de diffusion
Doit être épais (W)
Longueur de diffusion
La densité actuelle
dérive
Différence potentielle
la diffusion
différence de concentration
La relation d'Einstein
Résumer
双极输运方程
小注入n型
小注入p型
simplifier
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合
jonction pn
région de charge d'espace
Différence potentielle
Si0,7Ge0,3
Le biais direct devient plus petit et le biais inverse devient plus grand
jonction pn idéale
paramètre
Quelques enfants déséquilibrés
La densité actuelle
Connectivité unidirectionnelle
Courant de saturation inverse
J augmente avec la température
réel
Biais positif
a. Courant de recombinaison de barrière
Densité de courant de recombinaison
b. Courant de diffusion
c. Grosse injection
d. Linéaire (effet de résistance en série)
biais inverse
La barrière de potentiel produit du courant
générer du courant
panne
panne d'avalanche
effet multiplicateur
coefficient de température positif
panne de tunnel
Traverser une zone interdite
coefficient de température négatif
panne thermique
instabilité thermique
capacitance
Répartition des impuretés
largeur de la barrière
capacité de barrière
Capacité de diffusion
noeud de mutation
jonction linéaire
effet tunnel
La bande passante interdite est trop étroite
Fréquence extrêmement élevée, température extrêmement élevée
résistance négative
MS
concept
fonction de travail
fonction de travail du métal
hauteur de la barrière métallique
Fonction de travail du semi-conducteur
hauteur de la barrière semi-conductrice
Tension appliquée
barrière semi-conductrice
barrière métallique
inchangé
constante
redresseur
touche
Contact rectificatif
théorie de la diffusion
couche barrière épaisse
Mouvement du porteur = diffusion de la dérive
Largeur de la couche d'épuisement
Change avec la tension, non saturé
Théorie de l'émission thermoionique
au-delà des barrières
Constante de Richardson efficace
Indépendant de la tension, fonction de la température
Pouvoir miroir
Charge positive induite par le métal
position maximale de la barrière
Réduction des barrières
effet tunnel
barrière de pénétration
Réduction des barrières
épaisseur critique de la barrière
Diodes Schottky
haute fréquence
Grand courant de saturation inverse
Tension de conduction directe inférieure : 0,3 V
Contact ohmique
fine barrière
Pénétrer la barrière
Métaux - Semi-conducteurs fortement dopés - Semi-conducteurs dopés
état de surface
MIS
paramètre
conditions idéales
type p
État
bande d'énergie de surface
Tension
Intensité du champ électrique à la surface
densité de charge superficielle
capacité par unité de surface
accumulation de plusieurs enfants
ceinture plate
Épuisement de nombreux fils
antitype
antitype faible
antitype fort
réel
La différence de fonctions de travail entre les métaux et les semi-conducteurs est nulle
tension à bande plate
Il n'y a aucune charge à l'intérieur de la couche isolante et la couche isolante est totalement non conductrice
Il n'y a pas d'état d'interface à l'interface entre l'isolant et le semi-conducteur
Caractéristiques CV
Passer la haute fréquence à faible impédance
type n
Chen Peiming
jonction pn
effet tunnel
La bande passante interdite est trop étroite
Fréquence extrêmement élevée, température extrêmement élevée
résistance négative
capacitance
Répartition des impuretés
largeur de la barrière
capacitance
Capacité de diffusion
noeud de mutation
jonction linéaire
jonction pn idéale
Quelques enfants déséquilibrés
La densité actuelle
Connectivité unidirectionnelle
Courant de saturation inverse
J augmente avec la température
Biais positif
a. Courant de recombinaison de barrière
Densité de courant de recombinaison
b. Courant de diffusion
c. Grosse injection
d. Linéaire
biais inverse
La barrière de potentiel produit du courant
générer du courant
panne
panne d'avalanche
effet multiplicateur
coefficient de température positif
panne de tunnel
Traverser une zone interdite
coefficient de température négatif
panne thermique
instabilité thermique
région de charge d'espace
Différence potentielle
Si0,7Ge0,3
Le biais direct devient plus petit et le biais inverse devient plus grand
Bande d'énergie et distribution des porteurs à l'équilibre thermique
basique
approximation d'un seul électron
par centimètre cube
Silicium 5*10E22
Germanium 2,42*10E22
Le nombre effectif d'atomes dans une maille unitaire en diamant est de 8.
électrons libres
expression vectorielle d'onde k
Largeur de bande interdite
Diamant 6 ~ 7eV, silicium 1,12eV, germanium 0,67eV, arséniure de gallium 1,43eV
La température élevée devient plus petite
masse efficace
La bande de Valence est négative
Énergie quasi cinétique
trou
impureté semi-conducteur
Impuretés
écart
remplaçant
semi-conducteur de type n
Niveau d'énergie du donneur
libérer des électrons
V famille
semi-conducteur de type p
Niveau d'énergie de l'accepteur
électrons liés
Groupe III
niveau d'énergie
semi-conducteur non dégénéré
Niveau d'énergie peu profond
Énergie d'ionisation du donneur
Énergie d'ionisation de l'accepteur
compenser
Il existe des types p et n
niveau d'énergie profond
plusieurs niveaux d'énergie
longue distance
centre de préparation
Recombiner une paire électron-trou
effet piège
capturer un transporteur
Semi-conducteur faiblement dégénéré
Semi-conducteur dégénéré
Le niveau de Fermi n'est pas dans la bande interdite
distribution par transporteur
niveau de bande d'énergie
densité d'état
fond de conducteur
haut de gamme de prix
fonction de distribution de probabilité électronique
Fonction de distribution de Fermi
Niveau de Fermi
Fonction de distribution Boltzmann
Concentration (non dégénérée)
concentration électronique dans la bande de conduction
Densité effective d'états dans la bande de conduction
Concentration du trou de la bande de Valence
Densité effective d'états dans la bande de valence
produit de concentration
concentration intrinsèque
Niveau d'impureté
Niveau d'énergie du donneur
probabilité électronique
Dégénérescence de l'état fondamental du niveau d'énergie du donneur
En général, j'en prends 2
Concentration électronique du niveau d'énergie du donneur
Concentration de donneurs ionisés
Niveau d'énergie de l'accepteur
probabilité de trou
Dégénérescence de l'état fondamental du niveau d'énergie de l'accepteur
En général, j'en prends 4
Concentration des trous du niveau d'énergie de l'accepteur
Concentration d'accepteur ionisant
température
donneur
Zone d'ionisation faible à basse température
Forte ionisation (zone de saturation)
Concentration de donneurs syndiqués
Zone de transition
zone intrinsèque à haute température
destinataire
Zone d'ionisation faible à basse température
Forte ionisation (zone de saturation)
Concentration d'accepteurs syndiqués
Zone de transition
zone intrinsèque à haute température
phénomène de transport par transporteur
conductivité
Conductivité
Résistivité
type n
type p
Intrinsèque
diffusion
Diffusion d'impuretés ionisées (i)
Concentration d'impuretés
Diffusion vibratoire sur réseau
Diffusion(s) d'ondes acoustiques
Diffusion des ondes optiques(o)
Énergie des phonons
Autre diffusion
relation de formule
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
mobilité
hors équilibre
porteurs minoritaires
concentration
petite injection
Les porteurs hors équilibre sont beaucoup plus petits que la concentration multi-porteurs
grosse injection
Il y a beaucoup plus de porteurs hors équilibre que la concentration multi-porteurs
Concentration de porteurs hors équilibre
Durée de vie : le temps nécessaire à la concentration hors équilibre des porteurs pour réduire à 1/e
Niveau quasi-Fermi
Niveau électronique quasi-Fermi
Trou quasi-niveau de Fermi
produit
Correspondance entre concentration et niveau d’énergie
complexe
formulaire
émettre des photons
briller
émettre des phonons
vibration du réseau
Composé de tarière
Augmenter l'énergie cinétique du porteur
processus
interne
direct
taux composé direct net
Fort type n Fort intrinsèque de type p
indirect
4 processus
Émettre des électrons et des trous
Capturer les électrons et les trous
paramètre
Concentration électronique du niveau d'énergie du centre de recombinaison
concentration du centre de recombinaison
taux composé net
vie
Capturer une coupe transversale
surface
piège
concentration d'accumulation d'électrons au niveau d'énergie du piège
Niveau d'énergie du piège
niveau d'énergie profond
mouvement de diffusion
solution universelle
type n
assez épais
densité du flux de diffusion
Doit être épais (W)
Longueur de diffusion
La densité actuelle
dérive
Différence potentielle
la diffusion
différence de concentration
La relation d'Einstein
équation de transport bipolaire
Petite injection de type N
Type P à petite injection
simplifier
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合