導電特性: ドーピング特性、熱特性、感光特性

N型半導体

P型半導体

シリコン板上にP型半導体とN型半導体を異なるプロセスで形成し、その界面に特殊な物性を持った薄膜を形成します。安定空間電荷領域、高抵抗領域、空乏層

形成: 濃度差 - マルチキャリアの拡散運動 - マガジンイオンが空間電荷領域を形成 - 空間電荷領域が内部電場を形成 (内部電場は少数キャリアのドリフトを促進し、マルチキャリアの拡散を妨げます) - 動的平衡に達します (拡散電流 = ドリフト電流、合計電流は 0)

一方向導電率

電流方程式 (重要ではありません): 室温で Ut=26mV

ボルタンペレ特性

容量性効果

最大整流電流 If: 長期動作中に導体ダイオードを通過できる最大順方向平均電流。限界を超えると破損しやすくなります。

逆方向降伏電圧 Ubr

最大逆方向動作電圧 Urm=1/2Ubr

逆電流 Ir: 漏れ電流、飽和漏れ電流は Is

最大動作周波数 fm: ダイオードの状態が切り替わるまでに時間がかかります

電極間静電容量

直流抵抗：直流電源。 Rd=Udq/Idq

微小可変抵抗: rd=Ut/Idq (Ut=26mV)

DCモデル

コミュニケーションモデル

整流回路: 入力バイポーラ電圧をユニポーラ出力に変換します。理想的なモデルを使用します。ダイオードはスイッチとして機能し、電気を一方向に伝導します。

制限回路：定電圧降下モデルを使用。ダイオードは一方向の導電性を持ち、導電後も電圧は変化しません。 （解析方法：接地点を見つけ、ダイオードを外して両端の電圧を解析し、オンかオフか、求められる電圧を検討します）

スイッチ回路: ダイオードの導通と遮断はスイッチのオンまたはオフに相当し、それによっていくつかの論理関係が実現されます (解析方法: まずオンまたはオフであると仮定し、両端の電圧について議論します。その仮定が正しいかどうかを検討します)。 true; 求められる電圧を見つけます)

電圧調整管の降伏状態電圧は Ubr=Uz で一定です。逆降伏時は、電流が広い範囲で変化しても、電圧変化はわずかです。

応用回路

フォトダイオード

導かれた