Galleria mappe mentale Fondamenti di tecnologia elettronica analogica
Conoscenza dei semiconduttori elettrici stampati. Un semiconduttore è un materiale la cui conduttività è compresa tra quella di un conduttore e di un isolante. La sua conduttività può essere controllata attraverso il drogaggio, le variazioni di temperatura e gli effetti del campo elettrico.
Modificato alle 2024-10-27 09:08:42Il s'agit d'une carte mentale sur les anévrismes intracrâniens, avec le contenu principal, notamment: le congé, l'évaluation d'admission, les mesures infirmières, les mesures de traitement, les examens auxiliaires, les manifestations cliniques et les définitions.
Il s'agit d'une carte mentale sur l'entretien de comptabilité des coûts, le principal contenu comprend: 5. Liste des questions d'entrevue recommandées, 4. Compétences de base pour améliorer le taux de réussite, 3. Questions professionnelles, 2. Questions et réponses de simulation de scénarios, 1. Questions et réponses de capacité professionnelle.
Il s'agit d'une carte mentale sur les méthodes de recherche de la littérature, et son contenu principal comprend: 5. Méthode complète, 4. Méthode de traçabilité, 3. Méthode de vérification des points, 2. Méthode de recherche inversée, 1. Méthode de recherche durable.
Il s'agit d'une carte mentale sur les anévrismes intracrâniens, avec le contenu principal, notamment: le congé, l'évaluation d'admission, les mesures infirmières, les mesures de traitement, les examens auxiliaires, les manifestations cliniques et les définitions.
Il s'agit d'une carte mentale sur l'entretien de comptabilité des coûts, le principal contenu comprend: 5. Liste des questions d'entrevue recommandées, 4. Compétences de base pour améliorer le taux de réussite, 3. Questions professionnelles, 2. Questions et réponses de simulation de scénarios, 1. Questions et réponses de capacité professionnelle.
Il s'agit d'une carte mentale sur les méthodes de recherche de la littérature, et son contenu principal comprend: 5. Méthode complète, 4. Méthode de traçabilité, 3. Méthode de vérification des points, 2. Méthode de recherche inversée, 1. Méthode de recherche durable.
semiconduttore
conoscenza di base
semiconduttore intrinseco
struttura cristallina
Due tipi di portatori (elettroni, lacune)
semiconduttore impuro
Semiconduttore di tipo N (gli elettroni sono più elettroni)
Semiconduttore di tipo P (i fori sono portatori maggioritari)
concentrazione del portatore
Condizioni di equilibrio termico (portatori maggioritari * concentrazione di portatori minoritari = quadrato della concentrazione dei portatori condizioni di neutralità elettrica (portatori maggioritari = portatori minoritari drogati)
La concentrazione del portatore maggioritario è approssimativamente uguale alla concentrazione del drogante e non ha nulla a che fare con la temperatura; la concentrazione del portatore minoritario aumenta in modo significativo all'aumentare della temperatura;
Quando la temperatura aumenta, i semiconduttori impuri si trasformano in semiconduttori intrinseci
Giunzione PN
Due meccanismi conduttivi
Movimento di diffusione (differenza di concentrazione)
Movimento di deriva (forza del campo elettrico)
Formazione della giunzione PN
Differenza di concentrazione, diffusione multi-portante, generazione di regioni di carica spaziale, campo elettrico incorporato (ostacola la diffusione multi-portante e facilita la deriva dei portatori minoritari), equilibrio dinamico
Conduttività unidirezionale
Tensione diretta, la direzione del campo elettrico esterno è opposta al campo elettrico interno, lo strato di esaurimento si restringe, il movimento di diffusione si intensifica (la concentrazione di polioni aumenta) e la conduttività aumenta
Quando T=300K, UT=26mv, che è la tensione equivalente alla temperatura
Caratteristiche voltampere
Conduzione in avanti, blocco inverso
ripartizione inversa
Rottura dello Zener (elevata impurità)
Rottura da valanga (grande tensione inversa)
Caratteristiche di capacità
Capacità di barriera (diodo varactor)
Capacità di diffusione
Caratteristiche della temperatura
diodo
struttura
Tipo di contatto puntiforme, tipo di contatto superficiale, diodo planare
Caratteristiche voltampere
Figura, tensione di accensione, corrente inversa (entrambe sono sensibili alla temperatura)
Parametri principali
Corrente raddrizzata massima (media) IF, tensione operativa inversa massima UR=0,5UBR, corrente inversa IR (IS saturata), frequenza operativa massima
Modello
Modellazione matematica (analisi assistita da computer)
modello di curva
Modello semplificato DC
modello ideale
Modello a tensione costante (caduta).
modello polilinea
Modello equivalente leggermente variabile
Nel punto di funzionamento statico il diodo equivale ad una resistenza dinamica (resistenza CA), rd=UT/ID Quanto più alto è il punto Q, tanto più piccolo rd
diodo speciale
Diodo Zener
Caratteristiche volt-ampere (l'area di rottura è molto tremante)
Parametri principali
Tensione stabile UZ (tensione di rottura inversa)
Corrente stabile IZ (IZmin, IZmax)
Consumo energetico nominale PZM, resistenza dinamica rz=DUZ/DIZ
Risolvi i problemi
Supponiamo che il diodo sia un circuito aperto e calcoli la tensione U ai suoi capi. Se U>UZ, potrebbe essere in uno stato di tensione stabile; quindi calcolare il diodo I (U=UZ). stato di tensione stabile.
fotodiodo
Utilizzando la giunzione PN per essere sensibile alla luce
diodo emettitore di luce
Caratteristiche di conduzione della polarizzazione diretta (luci LED, schermi di visualizzazione)
diodo varactor
Caratteristiche della capacità di barriera
triodo
struttura
Tre poli, tre zone, due nodi
Tre modalità di lavoro e caratteristiche principali
Modalità di interruzione, modalità di amplificazione (giunzione dell'emettitore polarizzata in modo diretto, giunzione del collettore polarizzata in modo inverso) (caratteristiche controllate in avanti), modalità di saturazione.
Principio di amplificazione
movimento interno del trasportatore
Equazione del trasferimento di corrente
Tre configurazioni
Base comune cb, emettitore comune ce, collettore comune cc
Coefficiente di amplificazione attuale: emissione comune b, base comune a
Due equazioni (IE=IB IC,IC»bIB)
Curva volt-ampere (coemissione)
Proprietà di input
Caratteristiche di uscita
Area di cutoff, area di saturazione, area di amplificazione
Caratteristiche di output ideali
Parametri principali
DC, AC, parametri estremi
Effetto della temperatura sui parametri
All'aumentare della temperatura, la tensione di accensione dell'UBE(on) diminuisce, la corrente di saturazione inversa della giunzione del collettore ICBO aumenta e b aumenta
Modello equivalente
Modello matematico, modello di curva
Modello semplificato DC
modalità di ingrandimento
modalità di saturazione
modalità di interruzione
Modello equivalente leggermente variabile
modello equivalente con parametro h (modello misto per piccoli segnali di tipo Π), rbe=rbb` (dato nella domanda) bUT/ICQ