Mindmap-Galerie Physik-Halbleiterphysik-Mindmap
Eine Mindmap zur Physik-Halbleiterphysik, einschließlich freier Elektronen, Kristalle, intrinsischer Halbleiter usw. Ich hoffe, es hilft allen.
Bearbeitet um 2023-11-21 23:29:50Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Projektmanagement ist der Prozess der Anwendung von Fachwissen, Fähigkeiten, Werkzeugen und Methoden auf die Projektaktivitäten, so dass das Projekt die festgelegten Anforderungen und Erwartungen im Rahmen der begrenzten Ressourcen erreichen oder übertreffen kann. Dieses Diagramm bietet einen umfassenden Überblick über die 8 Komponenten des Projektmanagementprozesses und kann als generische Vorlage verwendet werden.
Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Projektmanagement ist der Prozess der Anwendung von Fachwissen, Fähigkeiten, Werkzeugen und Methoden auf die Projektaktivitäten, so dass das Projekt die festgelegten Anforderungen und Erwartungen im Rahmen der begrenzten Ressourcen erreichen oder übertreffen kann. Dieses Diagramm bietet einen umfassenden Überblick über die 8 Komponenten des Projektmanagementprozesses und kann als generische Vorlage verwendet werden.
Halbleiterphysik
freie Elektronen
k-Wellen-Vektorausdruck
Kristall
Atomdichte
zyklisch
intrinsischer Halbleiter
extrinsischer Halbleiter
Defekt
Punktfehler: Lücken Linienfehler: Leerstellen Flächenfehler: Stapelfehler und Korngrenzen
Welle-Teilchen-Dualität
kleine Größe
Volatilität
Große Größe
Teilchennatur
Schrödinger-Gleichung
Satz von Bloch
Brillouin-Zone
intrinsischer Halbleiter
Konzept
Bandlückenbreite
Silizium Si=1,12 eV Germanium Ge=0,67 eV Galliumarsenid GaAs=1,43 eV
am meisten
Hohe Temperatur und einfacher Übergang
effektive Masse
Elektronische Struktur, effektive Masse
Zustandsdichte effektive Masse
Leitfähigkeitswirksame Masse
Merkmale
Quasikinetische Energie
Die Elektronenlochkonzentration ist gleich
Verunreinigungshalbleiter
Arten von Verunreinigungen
Lücke
Ersatz
Halbleiter vom n-Typ
Spenderenergieniveau
Elektronen freisetzen
V-Familie
Halbleiter vom p-Typ
Energieniveau des Akzeptors
gebundene Elektronen
Gruppe III
Energieniveauposition
nicht entarteter Halbleiter
Flaches Energieniveau
Donor-Ionisierungsenergie
Ionisierungsenergie des Akzeptors
kompensieren
Es gibt p- und n-Typen
tiefes Energieniveau
mehrere Energieniveaus
Fern
Compoundierungszentrum
Rekombiniere ein Elektron-Loch-Paar
Trap-Effekt
einen Träger erobern
Schwach entarteter Halbleiter
Entarteter Halbleiter
Das Fermi-Niveau liegt nicht im verbotenen Bereich
Carrier-Verteilung
Konzept des Energieniveaus
Energiebandniveau
Zustandsdichte
Leiter unten
Preisspanne top
elektronische Wahrscheinlichkeitsverteilungsfunktion
Fermi-Verteilungsfunktion
Fermi-Niveau
Boltzmann-Verteilungsfunktion
Konzentration (nicht entartet)
Elektronenkonzentration im Leitungsband
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Konzentration der Valenzbandlöcher
Effektive Zustandsdichte im Valenzband
Konzentrationsprodukt
Verunreinigungsgrad
Spenderenergieniveau
elektronische Wahrscheinlichkeit
Grundzustandsdegeneration des Donor-Energieniveaus
Normalerweise nehme ich 2
Elektronenkonzentration des Donor-Energieniveaus
Konzentration ionisierter Spender
Energieniveau des Akzeptors
Lochwahrscheinlichkeit
Grundzustandsdegeneration des Akzeptorenergieniveaus
Normalerweise nehme ich 4
Akzeptor-Energieniveau-Lochkonzentration
Konzentration ionisierender Akzeptoren
Temperatur
Spender
Schwache Ionisationszone mit niedriger Temperatur
Starke Ionisierung (Sättigungszone)
Konzentration gewerkschaftlicher Spender
Übergangszone
Eigene Hochtemperaturzone
Empfänger
Schwache Ionisationszone mit niedriger Temperatur
Starke Ionisierung (Sättigungszone)
Unionisierte Akzeptorkonzentration
Übergangszone
Eigene Hochtemperaturzone
Leitfähigkeit
Konzept
Leitfähigkeit
Widerstand
n Typ
p-Typ
Intrinsisch
Streuung
Streuung ionisierter Verunreinigungen (i)
Verunreinigungskonzentration
Gitterschwingungsstreuung
Akustische Wellenstreuung(en)
Optische Wellenstreuung(o)
Phononenenergie
Andere Streuung
Formelbeziehung
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
Mobilität
Ungleichgewicht
Minderheitsträger
Konzept
Konzentration
kleine Injektion
Nichtgleichgewichtsträger sind viel kleiner als die Mehrträgerkonzentration
große Injektion
Es gibt weitaus mehr Nichtgleichgewichtsträger als die Mehrträgerkonzentration
Nichtgleichgewichtsträgerkonzentration
Lebensdauer: die Zeit, die benötigt wird, um die Nichtgleichgewichtsträgerkonzentration auf 1/e zu reduzieren
Quasi-Fermi-Niveau
Elektronisches Quasi-Fermi-Niveau
Loch-Quasi-Fermi-Niveau
Produkt
Zusammenhang zwischen Konzentration und Energieniveau
Komplex
bilden
emittieren Photonen
glühen
emittieren Phononen
Gitterschwingung
Schneckenverbindung
Erhöhen Sie die kinetische Energie des Trägers
Verfahren
intern
Direkte
direkter Nettozinssatz
Starker n-Typ. Starker p-Typ intrinsisch
indirekt
4 Prozesse
Emittieren Sie Elektronen und Löcher
Elektronen und Löcher einfangen
Parameter
Elektronenkonzentration des Energieniveaus des Rekombinationszentrums
Konzentration des Rekombinationszentrums
Nettozinssatz
Leben
Querschnitt erfassen
Oberfläche
fangen
Elektronenakkumulationskonzentration auf dem Energieniveau der Falle
Energieniveau der Falle
tiefes Energieniveau
Diffusionsbewegung
universelle Lösung
n Typ
dick genug
Diffusionsströmungsdichte
Muss dick sein (W)
Diffusionslänge
Stromdichte
Drift
Potenzieller unterschied
Diffusion
Konzentrationsunterschied
Einsteins Beziehung
Zusammenfassen
双极输运方程
小注入n型
小注入p型
vereinfachen
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合
pn-Übergang
Raumladungsgebiet
Potenzieller unterschied
Si0,7 Ge0,3
Die Vorwärtsvorspannung wird kleiner und die Rückwärtsvorspannung wird größer
idealer pn-Übergang
Parameter
Unausgeglichene wenige Kinder
Stromdichte
Konnektivität in eine Richtung
Rückwärtssättigungsstrom
J nimmt mit der Temperatur zu
tatsächlich
Positive Voreingenommenheit
a. Barriere-Rekombinationsstrom
Rekombinationsstromdichte
b. Diffusionsstrom
c. Große Injektion
d. Linear (Serienwiderstandseffekt)
umgekehrte Vorspannung
Potentialbarriere erzeugt Strom
Strom erzeugen
abbauen
Lawinenabbruch
Multiplikatoreffekt
positiver Temperaturkoeffizient
Tunneleinbruch
Durchqueren Sie die verbotene Zone
negativer Temperaturkoeffizient
thermischer Zusammenbruch
thermische Instabilität
Kapazität
Verteilung der Verunreinigungen
Barrierebreite
Barrierekapazität
Diffusionskapazität
Mutationsknoten
linearer Gefälleübergang
Tunneleffekt
Die verbotene Bandbreite ist zu eng
Extrem hohe Frequenz, extrem hohe Temperatur
negativer Widerstand
MS
Konzept
Arbeitsfuntkion
Metallarbeitsfunktion
Höhe der Metallbarriere
Halbleiter-Austrittsarbeit
Höhe der Halbleiterbarriere
Anliegende Spannung
Halbleiterbarriere
Metallbarriere
unverändert
Konstante
Gleichrichter
berühren
Kontakt korrigieren
Diffusionstheorie
dicke Barriereschicht
Trägerbewegung = Driftdiffusion
Breite der Verarmungsschicht
Ändert sich mit der Spannung, nicht gesättigt
Thermionische Emissionstheorie
jenseits von Barrieren
Effektive Richardson-Konstante
Unabhängig von Spannung, Funktion der Temperatur
Spiegelkraft
Metallinduzierte positive Ladung
maximale Position der Barriere
Barriereabbau
Tunneleffekt
Durchdringungsbarriere
Barriereabbau
kritische Barrieredicke
Schottky-Dioden
Hochfrequenz
Großer umgekehrter Sättigungsstrom
Niedrigere Durchlassspannung – 0,3 V
Ohmscher Kontakt
dünne Barriere
Durchdringungsbarriere
Metalle – Stark dotierte Halbleiter – Dotierte Halbleiter
Oberflächenzustand
MIS
Parameter
ideale Bedingungen
p-Typ
Zustand
Oberflächenenergieband
Stromspannung
Elektrische Feldstärke an der Oberfläche
Oberflächenladungsdichte
Kapazität pro Flächeneinheit
Akkumulation mehrerer Kinder
flacher Gurt
Erschöpfung vieler Söhne
Antityp
schwacher Antityp
starker Antityp
tatsächlich
Der Unterschied in den Arbeitsfunktionen zwischen Metallen und Halbleitern ist Null
Flachbandspannung
Innerhalb der Isolierschicht gibt es keine Ladung und die Isolierschicht ist vollständig nicht leitend
An der Schnittstelle zwischen Isolator und Halbleiter liegt kein Grenzflächenzustand vor
C-V-Eigenschaften
Hochfrequenz mit niedriger Impedanz durchlassen
n Typ
Chen Peiming
pn-Übergang
Tunneleffekt
Die verbotene Bandbreite ist zu eng
Extrem hohe Frequenz, extrem hohe Temperatur
negativer Widerstand
Kapazität
Verteilung der Verunreinigungen
Barrierebreite
Kapazität
Diffusionskapazität
Mutationsknoten
linearer Gefälleübergang
idealer pn-Übergang
Unausgeglichene wenige Kinder
Stromdichte
Konnektivität in eine Richtung
Rückwärtssättigungsstrom
J nimmt mit der Temperatur zu
Positive Voreingenommenheit
a. Barriere-Rekombinationsstrom
Rekombinationsstromdichte
b. Diffusionsstrom
c. Große Injektion
d. Linear
umgekehrte Vorspannung
Potentialbarriere erzeugt Strom
Strom erzeugen
abbauen
Lawinenabbruch
Multiplikatoreffekt
positiver Temperaturkoeffizient
Tunneleinbruch
Durchqueren Sie die verbotene Zone
negativer Temperaturkoeffizient
thermischer Zusammenbruch
thermische Instabilität
Raumladungsgebiet
Potenzieller unterschied
Si0,7 Ge0,3
Die Vorwärtsvorspannung wird kleiner und die Rückwärtsvorspannung wird größer
Energieband- und Trägerverteilung im thermischen Gleichgewicht
Basic
Einzelelektronennäherung
pro Kubikzentimeter
Silizium 5*10E22
Germanium 2,42*10E22
Die effektive Anzahl von Atomen in einer Diamant-Elementarzelle beträgt 8
freie Elektronen
k-Wellen-Vektorausdruck
Bandlückenbreite
Diamant 6~7 eV, Silizium 1,12 eV, Germanium 0,67 eV, Galliumarsenid 1,43 eV
Hohe Temperaturen werden kleiner
effektive Masse
Das Valenzband ist negativ
Quasikinetische Energie
Loch
Verunreinigungshalbleiter
Verunreinigungen
Lücke
Ersatz
Halbleiter vom n-Typ
Spenderenergieniveau
Elektronen freisetzen
V-Familie
Halbleiter vom p-Typ
Energieniveau des Akzeptors
gebundene Elektronen
Gruppe III
Energielevel
nicht entarteter Halbleiter
Flaches Energieniveau
Donor-Ionisierungsenergie
Ionisierungsenergie des Akzeptors
kompensieren
Es gibt p- und n-Typen
tiefes Energieniveau
mehrere Energieniveaus
Fern
Compoundierungszentrum
Rekombiniere ein Elektron-Loch-Paar
Trap-Effekt
einen Träger erobern
Schwach entarteter Halbleiter
Entarteter Halbleiter
Das Fermi-Niveau liegt nicht im verbotenen Bereich
Carrier-Verteilung
Energiebandniveau
Zustandsdichte
Leiter unten
Preisspanne top
elektronische Wahrscheinlichkeitsverteilungsfunktion
Fermi-Verteilungsfunktion
Fermi-Niveau
Boltzmann-Verteilungsfunktion
Konzentration (nicht entartet)
Elektronenkonzentration im Leitungsband
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Konzentration der Valenzbandlöcher
Effektive Zustandsdichte im Valenzband
Konzentrationsprodukt
intrinsische Konzentration
Verunreinigungsgrad
Spenderenergieniveau
elektronische Wahrscheinlichkeit
Grundzustandsdegeneration des Donor-Energieniveaus
Normalerweise nehme ich 2
Elektronenkonzentration des Donor-Energieniveaus
Konzentration ionisierter Spender
Energieniveau des Akzeptors
Lochwahrscheinlichkeit
Grundzustandsdegeneration des Akzeptorenergieniveaus
Normalerweise nehme ich 4
Akzeptor-Energieniveau-Lochkonzentration
Konzentration ionisierender Akzeptoren
Temperatur
Spender
Schwache Ionisationszone mit niedriger Temperatur
Starke Ionisierung (Sättigungszone)
Konzentration gewerkschaftlicher Spender
Übergangszone
Eigene Hochtemperaturzone
Empfänger
Schwache Ionisationszone mit niedriger Temperatur
Starke Ionisierung (Sättigungszone)
Unionisierte Akzeptorkonzentration
Übergangszone
Eigene Hochtemperaturzone
Trägertransportphänomen
Leitfähigkeit
Leitfähigkeit
Widerstand
n Typ
p-Typ
Intrinsisch
Streuung
Streuung ionisierter Verunreinigungen (i)
Verunreinigungskonzentration
Gitterschwingungsstreuung
Akustische Wellenstreuung(en)
Optische Wellenstreuung(o)
Phononenenergie
Andere Streuung
Formelbeziehung
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
Mobilität
Ungleichgewicht
Minderheitsträger
Konzentration
kleine Injektion
Nichtgleichgewichtsträger sind viel kleiner als die Mehrträgerkonzentration
große Injektion
Es gibt weitaus mehr Nichtgleichgewichtsträger als die Mehrträgerkonzentration
Nichtgleichgewichtsträgerkonzentration
Lebensdauer: die Zeit, die benötigt wird, um die Nichtgleichgewichtsträgerkonzentration auf 1/e zu reduzieren
Quasi-Fermi-Niveau
Elektronisches Quasi-Fermi-Niveau
Loch-Quasi-Fermi-Niveau
Produkt
Zusammenhang zwischen Konzentration und Energieniveau
Komplex
bilden
emittieren Photonen
glühen
emittieren Phononen
Gitterschwingung
Schneckenverbindung
Erhöhen Sie die kinetische Energie des Trägers
Verfahren
intern
Direkte
direkter Nettozinssatz
Starker n-Typ. Starker p-Typ intrinsisch
indirekt
4 Prozesse
Emittieren Sie Elektronen und Löcher
Elektronen und Löcher einfangen
Parameter
Elektronenkonzentration des Energieniveaus des Rekombinationszentrums
Konzentration des Rekombinationszentrums
Nettozinssatz
Leben
Querschnitt erfassen
Oberfläche
fangen
Elektronenakkumulationskonzentration auf dem Energieniveau der Falle
Energieniveau der Falle
tiefes Energieniveau
Diffusionsbewegung
universelle Lösung
n Typ
dick genug
Diffusionsströmungsdichte
Muss dick sein (W)
Diffusionslänge
Stromdichte
Drift
Potenzieller unterschied
Diffusion
Konzentrationsunterschied
Einsteins Beziehung
Bipolare Transportgleichung
Kleine Einspritzung vom N-Typ
Kleiner Einspritz-P-Typ
vereinfachen
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合