Galleria mappe mentale Mappa mentale della fisica dei semiconduttori
Una mappa mentale sulla fisica dei semiconduttori, inclusi elettroni liberi, cristalli, semiconduttori intrinseci, ecc. Spero che aiuti tutti.
Modificato alle 2023-11-21 23:29:50Questa è una mappa mentale su una breve storia del tempo. "Una breve storia del tempo" è un'opera scientifica popolare con un'influenza di vasta portata. Non solo introduce i concetti di base della cosmologia e della relatività, ma discute anche dei buchi neri e dell'espansione dell'universo. questioni scientifiche all’avanguardia come l’inflazione e la teoria delle stringhe.
Dopo aver letto "Il coraggio di essere antipatico", "Il coraggio di essere antipatico" è un libro filosofico che vale la pena leggere. Può aiutare le persone a comprendere meglio se stesse, a comprendere gli altri e a trovare modi per ottenere la vera felicità.
"Il coraggio di essere antipatico" non solo analizza le cause profonde di vari problemi nella vita, ma fornisce anche contromisure corrispondenti per aiutare i lettori a comprendere meglio se stessi e le relazioni interpersonali e come applicare la teoria psicologica di Adler nella vita quotidiana.
Questa è una mappa mentale su una breve storia del tempo. "Una breve storia del tempo" è un'opera scientifica popolare con un'influenza di vasta portata. Non solo introduce i concetti di base della cosmologia e della relatività, ma discute anche dei buchi neri e dell'espansione dell'universo. questioni scientifiche all’avanguardia come l’inflazione e la teoria delle stringhe.
Dopo aver letto "Il coraggio di essere antipatico", "Il coraggio di essere antipatico" è un libro filosofico che vale la pena leggere. Può aiutare le persone a comprendere meglio se stesse, a comprendere gli altri e a trovare modi per ottenere la vera felicità.
"Il coraggio di essere antipatico" non solo analizza le cause profonde di vari problemi nella vita, ma fornisce anche contromisure corrispondenti per aiutare i lettori a comprendere meglio se stessi e le relazioni interpersonali e come applicare la teoria psicologica di Adler nella vita quotidiana.
Fisica dei semiconduttori
elettroni liberi
Espressione del vettore d'onda k
cristallo
Densità atomica
ciclico
semiconduttore intrinseco
semiconduttore estrinseco
difetto
Difetti puntuali: lacune Difetti lineari: posti vacanti Difetti piani: difetti di impilamento e bordi di grano
dualità onda-particella
taglia piccola
Volatilità
Taglia larga
natura delle particelle
Equazione di Schrödinger
Il teorema di Bloch
Zona Brillouin
semiconduttore intrinseco
concetto
Larghezza del gap di banda
Silicio Si=1,12eV Germanio Ge=0,67eV Arseniuro di gallio GaAs=1,43eV
maggior parte
Alta temperatura e facile transizione
massa effettiva
Massa efficace della struttura elettronica
massa effettiva della densità dello stato
Massa efficace conducibilità
Caratteristiche
Energia quasi cinetica
La concentrazione della lacuna elettronica è uguale
semiconduttore impuro
Tipi di impurità
spacco
sostituire
semiconduttore di tipo n
Livello energetico del donatore
rilasciare elettroni
Famiglia V
semiconduttore di tipo p
Livello di energia dell'accettore
elettroni legati
Gruppo III
posizione del livello di energia
semiconduttore non degenerato
Livello di energia superficiale
Energia di ionizzazione del donatore
Energia di ionizzazione dell'accettore
compensare
Esistono tipi p e n
livello energetico profondo
molteplici livelli energetici
lunga distanza
centro di composizione
Ricombinare una coppia elettrone-lacuna
effetto trappola
catturare una portaerei
Semiconduttore debolmente degenere
Semiconduttore degenerato
Il livello di Fermi non è nella banda proibita
distribuzione dei portatori
concetto di livello energetico
livello della banda energetica
densità dello stato
fondo del conduttore
fascia di prezzo superiore
funzione di distribuzione elettronica della probabilità
Funzione di distribuzione di Fermi
Livello di Fermi
Funzione di distribuzione di Boltzmann
Concentrazione (non degenerata)
concentrazione degli elettroni nella banda di conduzione
Densità effettiva degli stati nella banda di conduzione
Concentrazione dei buchi della banda di valenza
Densità effettiva degli stati nella banda di valenza
prodotto di concentrazione
Livello di impurità
Livello energetico del donatore
probabilità elettronica
Degenerazione dello stato fondamentale del livello di energia del donatore
Di solito ne prendi 2
Concentrazione di elettroni a livello di energia del donatore
Concentrazione del donatore ionizzato
Livello di energia dell'accettore
probabilità di buco
Degenerazione dello stato fondamentale del livello energetico dell'accettore
Di solito ne prendi 4
Concentrazione dei fori del livello di energia dell'accettore
Concentrazione dell'accettore ionizzante
temperatura
donatore
Zona di ionizzazione debole a bassa temperatura
Ionizzazione forte (zona di saturazione)
Concentrazione di donatori sindacalizzati
Zona di transizione
zona intrinseca ad alta temperatura
destinatario
Zona di ionizzazione debole a bassa temperatura
Ionizzazione forte (zona di saturazione)
Concentrazione di accettori sindacalizzati
Zona di transizione
zona intrinseca ad alta temperatura
conduttività
concetto
Conduttività
Resistività
tipo n
tipo p
Intrinseco
dispersione
Diffusione delle impurità ionizzate (i)
Concentrazione di impurità
Diffusione vibrazionale del reticolo
Diffusione delle onde acustiche
Diffusione delle onde ottiche(o)
Energia fononica
Altra dispersione
relazione di formula
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
mobilità
non equilibrio
vettori di minoranza
concetto
concentrazione
piccola iniezione
I portatori di non equilibrio sono molto più piccoli della concentrazione multi-portante
grande iniezione
Ci sono molti più portatori non in equilibrio rispetto alla concentrazione multi-portante
Concentrazione dei portatori non in equilibrio
Durata: il tempo necessario affinché la concentrazione del portatore non in equilibrio si riduca a 1/e
Livello quasi-Fermi
Livello elettronico quasi-Fermi
Livello quasi-Fermi del foro
Prodotto
Corrispondenza tra concentrazione e livello energetico
complesso
modulo
emettono fotoni
incandescenza
emettono fononi
vibrazione del reticolo
Composto della coclea
Aumenta l'energia cinetica del portatore
processi
interno
diretto
tasso di capitalizzazione netto diretto
Forte tipo n Forte tipo p intrinseco
indiretto
4 processi
Emettono elettroni e lacune
Cattura elettroni e lacune
parametro
Concentrazione di elettroni nel livello energetico del centro di ricombinazione
concentrazione dei centri di ricombinazione
tasso composto netto
vita
Cattura la sezione trasversale
superficie
trappola
concentrazione di accumulo di elettroni a livello di energia della trappola
Intrappola il livello di energia
livello energetico profondo
movimento di diffusione
soluzione universale
tipo n
abbastanza spesso
densità del flusso di diffusione
Deve essere spesso (W)
Lunghezza di diffusione
Densità corrente
deriva
Differenza di potenziale
diffusione
differenza di concentrazione
La relazione di Einstein
Riassumere
双极输运方程
小注入n型
小注入p型
semplificare
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合
giunzione pn
regione di carica spaziale
Differenza di potenziale
Si0.7Ge0.3
La polarizzazione diretta diventa più piccola e la polarizzazione inversa diventa più grande
giunzione pn ideale
parametro
Pochi bambini squilibrati
Densità corrente
Connettività unidirezionale
Corrente di saturazione inversa
J aumenta con la temperatura
effettivo
Pregiudizio positivo
a. Corrente di ricombinazione della barriera
Densità di corrente di ricombinazione
b. Corrente di diffusione
c. Grande iniezione
d. Lineare (effetto di resistenza in serie)
polarizzazione inversa
La barriera potenziale produce corrente
generare corrente
guasto
rottura di valanghe
effetto moltiplicatore
coefficiente di temperatura positivo
rottura del tunnel
Attraversare la zona vietata
coefficiente di temperatura negativo
scomposizione termica
instabilità termica
capacità
Distribuzione delle impurità
larghezza della barriera
capacità di barriera
Capacità di diffusione
nodo di mutazione
giunzione di grado lineare
effetto tunnel
La larghezza di banda vietata è troppo stretta
Frequenza estremamente elevata, temperatura estremamente elevata
resistenza negativa
SM
concetto
funzione di lavoro
funzione di lavorazione dei metalli
altezza della barriera metallica
Funzione lavoro del semiconduttore
altezza della barriera dei semiconduttori
Tensione applicata
barriera semiconduttrice
barriera metallica
invariato
costante
Raddrizzatore
tocco
Contatto rettificativo
teoria della diffusione
spesso strato barriera
Movimento del portatore = diffusione della deriva
Larghezza dello strato di esaurimento
Cambia con la tensione, non saturata
Teoria dell'emissione termoionica
oltre le barriere
Costante di Richardson effettiva
Indipendente dalla tensione, funzione della temperatura
Potere dello specchio
Carica positiva indotta dal metallo
Posizione massima della barriera potenziale
Riduzione della barriera
effetto tunnel
barriera di penetrazione
Riduzione della barriera
spessore critico della barriera
Diodi Schottky
alta frequenza
Grande corrente di saturazione inversa
Tensione di conduzione diretta inferiore: 0,3 V
Contatto ohmico
barriera sottile
barriera di penetrazione
Metalli - Semiconduttori fortemente drogati - Semiconduttori drogati
stato superficiale
MIS
parametro
condizioni ideali
tipo p
stato
banda di energia superficiale
Voltaggio
Intensità del campo elettrico in superficie
densità di carica superficiale
capacità per unità di superficie
accumulo multi-figlio
cintura piatta
Esaurimento di molti figli
Antitipo
antitipo debole
forte antitipo
effettivo
La differenza nelle funzioni lavorative tra metalli e semiconduttori è zero
tensione a banda piatta
Non vi è alcuna carica all'interno dello strato isolante e lo strato isolante è completamente non conduttivo
Non esiste uno stato di interfaccia nell'interfaccia tra isolante e semiconduttore
Caratteristiche del CV
Passa l'alta frequenza a bassa impedenza
tipo n
Chen Peiming
giunzione pn
effetto tunnel
La larghezza di banda vietata è troppo stretta
Frequenza estremamente elevata, temperatura estremamente elevata
resistenza negativa
capacità
Distribuzione delle impurità
larghezza della barriera
capacità
Capacità di diffusione
nodo di mutazione
giunzione di grado lineare
giunzione pn ideale
Pochi bambini squilibrati
Densità corrente
Connettività unidirezionale
Corrente di saturazione inversa
J aumenta con la temperatura
Pregiudizio positivo
a. Corrente di ricombinazione della barriera
Densità di corrente di ricombinazione
b. Corrente di diffusione
c. Grande iniezione
d.Lineare
polarizzazione inversa
La barriera potenziale produce corrente
generare corrente
guasto
rottura di valanghe
effetto moltiplicatore
coefficiente di temperatura positivo
rottura del tunnel
Attraversare la zona vietata
coefficiente di temperatura negativo
scomposizione termica
instabilità termica
regione di carica spaziale
Differenza di potenziale
Si0.7Ge0.3
La polarizzazione diretta diventa più piccola e la polarizzazione inversa diventa più grande
Banda energetica e distribuzione dei portatori all'equilibrio termico
di base
approssimazione del singolo elettrone
per centimetro cubo
Silicio 5*10E22
Germanio 2.42*10E22
Il numero effettivo di atomi in una cella unitaria di diamante è 8
elettroni liberi
Espressione del vettore d'onda k
Larghezza del gap di banda
Diamante 6~7eV, silicio 1,12eV, germanio 0,67eV, arseniuro di gallio 1,43eV
L'alta temperatura diventa più piccola
massa effettiva
La banda di valenza è negativa
Energia quasi cinetica
buco
semiconduttore impuro
Impurità
spacco
sostituire
semiconduttore di tipo n
Livello energetico del donatore
rilasciare elettroni
Famiglia V
semiconduttore di tipo p
Livello di energia dell'accettore
elettroni legati
Gruppo III
livello di energia
semiconduttore non degenerato
Livello di energia superficiale
Energia di ionizzazione del donatore
Energia di ionizzazione dell'accettore
compensare
Esistono tipi p e n
livello energetico profondo
molteplici livelli energetici
lunga distanza
centro di composizione
Ricombinare una coppia elettrone-lacuna
effetto trappola
catturare una portaerei
Semiconduttore debolmente degenere
Semiconduttore degenerato
Il livello di Fermi non è nella banda proibita
distribuzione dei portatori
livello della banda energetica
densità dello stato
fondo del conduttore
fascia di prezzo superiore
funzione di distribuzione elettronica della probabilità
Funzione di distribuzione di Fermi
Livello di Fermi
Funzione di distribuzione di Boltzmann
Concentrazione (non degenerata)
concentrazione degli elettroni nella banda di conduzione
Densità effettiva degli stati nella banda di conduzione
Concentrazione dei buchi della banda di valenza
Densità effettiva degli stati nella banda di valenza
prodotto di concentrazione
concentrazione intrinseca
Livello di impurità
Livello energetico del donatore
probabilità elettronica
Degenerazione dello stato fondamentale del livello di energia del donatore
Di solito ne prendi 2
Concentrazione di elettroni a livello di energia del donatore
Concentrazione del donatore ionizzato
Livello di energia dell'accettore
probabilità di buco
Degenerazione dello stato fondamentale del livello energetico dell'accettore
Di solito ne prendi 4
Concentrazione dei fori del livello di energia dell'accettore
Concentrazione dell'accettore ionizzante
temperatura
donatore
Zona di ionizzazione debole a bassa temperatura
Ionizzazione forte (zona di saturazione)
Concentrazione di donatori sindacalizzati
Zona di transizione
zona intrinseca ad alta temperatura
destinatario
Zona di ionizzazione debole a bassa temperatura
Ionizzazione forte (zona di saturazione)
Concentrazione di accettori sindacalizzati
Zona di transizione
zona intrinseca ad alta temperatura
fenomeno del trasporto dei vettori
conduttività
Conduttività
Resistività
tipo n
tipo p
Intrinseco
dispersione
Diffusione delle impurità ionizzate (i)
Concentrazione di impurità
Diffusione vibrazionale del reticolo
Diffusione delle onde acustiche
Diffusione delle onde ottiche(o)
Energia fononica
Altra dispersione
relazione di formula
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
mobilità
non equilibrio
vettori di minoranza
concentrazione
piccola iniezione
I portatori di non equilibrio sono molto più piccoli della concentrazione multi-portante
grande iniezione
Ci sono molti più portatori non in equilibrio rispetto alla concentrazione multi-portante
Concentrazione dei portatori non in equilibrio
Durata: il tempo necessario affinché la concentrazione del portatore non in equilibrio si riduca a 1/e
Livello quasi-Fermi
Livello elettronico quasi-Fermi
Livello quasi-Fermi del foro
Prodotto
Corrispondenza tra concentrazione e livello energetico
complesso
modulo
emettono fotoni
incandescenza
emettono fononi
vibrazione del reticolo
Composto della coclea
Aumenta l'energia cinetica del portatore
processi
interno
diretto
tasso di capitalizzazione netto diretto
Forte tipo n Forte tipo p intrinseco
indiretto
4 processi
Emettono elettroni e lacune
Cattura elettroni e lacune
parametro
Concentrazione di elettroni nel livello energetico del centro di ricombinazione
concentrazione dei centri di ricombinazione
tasso composto netto
vita
Cattura la sezione trasversale
superficie
trappola
concentrazione di accumulo di elettroni a livello di energia della trappola
Intrappola il livello di energia
livello energetico profondo
movimento di diffusione
soluzione universale
tipo n
abbastanza spesso
densità del flusso di diffusione
Deve essere spesso (W)
Lunghezza di diffusione
Densità corrente
deriva
Differenza di potenziale
diffusione
differenza di concentrazione
La relazione di Einstein
Equazione del trasporto bipolare
Piccola iniezione di tipo n
Tipo p a piccola iniezione
semplificare
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合