Mindmap-Galerie Grundlegende Verstärkerschaltung
Es gibt drei gängige Konfigurationen grundlegender Verstärkerschaltungen, nämlich Verstärkerschaltung mit gemeinsamem Emitter, Verstärkerschaltung mit gemeinsamer Basis und Verstärkerschaltung mit gemeinsamem Kollektor. Jede Konfiguration hat ihr spezifisches Funktionsprinzip und Anwendungsszenarien.
Bearbeitet um 2024-04-22 11:15:08Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Projektmanagement ist der Prozess der Anwendung von Fachwissen, Fähigkeiten, Werkzeugen und Methoden auf die Projektaktivitäten, so dass das Projekt die festgelegten Anforderungen und Erwartungen im Rahmen der begrenzten Ressourcen erreichen oder übertreffen kann. Dieses Diagramm bietet einen umfassenden Überblick über die 8 Komponenten des Projektmanagementprozesses und kann als generische Vorlage verwendet werden.
Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Einhundert Jahre Einsamkeit ist das Meisterwerk von Gabriel Garcia Marquez. Die Lektüre dieses Buches beginnt mit der Klärung der Beziehungen zwischen den Figuren. Im Mittelpunkt steht die Familie Buendía, deren Wohlstand und Niedergang, interne Beziehungen und politische Kämpfe, Selbstvermischung und Wiedergeburt im Laufe von hundert Jahren erzählt werden.
Projektmanagement ist der Prozess der Anwendung von Fachwissen, Fähigkeiten, Werkzeugen und Methoden auf die Projektaktivitäten, so dass das Projekt die festgelegten Anforderungen und Erwartungen im Rahmen der begrenzten Ressourcen erreichen oder übertreffen kann. Dieses Diagramm bietet einen umfassenden Überblick über die 8 Komponenten des Projektmanagementprozesses und kann als generische Vorlage verwendet werden.
Grundlegende Verstärkerschaltung
一、 Zoom-Konzept
Grundfunktionen: Leistungsverstärkung Voraussetzung: keine Verzerrung
Leistung
Durchlassbereich und Grenzfrequenz
Amplitudenfrequenz-Kennlinie
fL und fH werden als untere Grenzfrequenz bzw. obere Grenzfrequenz bezeichnet.
Maximale unverzerrte Ausgangsspannung
Gültige WerteUom
Spitze-Spitze-Wert Uopp (Uopp=2 √2Uom)
Spannungs-/Stromverstärkung (vier Arten)
二、 Drei grundlegende Verbindungsmethoden der Transistor-Einzelröhrenverstärkerschaltung
Grundlegende Common-Collector-Verstärkerschaltung (Emitter-Ausgabegerät)
Der Kollektor im Wechselstrompfad ist geerdet, sodass Eingang und Ausgang tatsächlich denselben Kollektor teilen. Die Last ist mit dem Emitter verbunden und wird daher als Emitter-Ausgabegerät bezeichnet.
Parameteranalyse
Spannungsverstärkungsfaktor
Hier sollte das Molekül den möglichen Widerstand Rb an der Base anbringen
Aktueller Verstärkungsfaktor
Hinweis: Io ist der Strom, der durch die RL-Last fließt, Iin ist der Strom am Eingangsanschluss
Vergleich dreier Verbindungsmethoden
Eingangswiderstand
(Ri‘ ist der Widerstand in Richtung der Basis Ib)
Ausgangswiderstand
Signalquelle kurzschließen, RL durch Prüfspannungsquelle ersetzen
Grundlegende Verstärkerschaltung mit gemeinsamer Basis
Basis im Wechselstrompfad geerdet
Parameteranalyse
Spannungsverstärkungsfaktor
Aktueller Verstärkungsfaktor
Eingangswiderstand und Ausgangswiderstand
Grundlegende Verstärkerschaltung mit gemeinsamem Emitter
Statischer Arbeitspunkt Q: Durch Hinzufügen der richtigen Vorspannung zum Eingangsanschluss wird sichergestellt, dass der Transistor betriebsbereit ist und eine Wechselstromverstärkung erreichen kann
Zu den Parametern des statischen Betriebspunkts Q gehören IBQ, ICQ, UCEQ und UBEQ, wobei UBEQ im Allgemeinen als bekannt angesehen wird und die Kenntnis der ersten beiden im Allgemeinen zur Berechnung von UCEQ durch grafische Darstellung verwendet werden kann
Zwei praktische Verstärkerschaltungen
Direkte Kopplung
Mangel
1||| Die Spannungsteilung des Widerstands führt zu Spannungsverlust
2||| Durchgangsverkehr kann nicht blockiert werden
Widerstand-Kondensator-Kopplung
三、 Analytische Methode
DC-Pfad und AC-Pfad
DC-Pfad
Formation: Ein Stromkreis, der unter der Einwirkung einer Gleichstromversorgung entsteht Prinzip: Kondensator-Leerlauf, Induktor-Kurzschluss, AC-Signalquellen-Kurzschluss (Innenwiderstand beibehalten)
Der Rs von in Reihe geschalteten Wechselstromsignalquellen kann nicht ignoriert werden.
Analysezweck: Finden Sie den statischen Arbeitspunkt Q
Kommunikationsweg
Formation: Ein Stromkreis, der unter der Einwirkung von Wechselstrom entsteht Prinzip: Leerlauf des Induktors, Kurzschluss des Kondensators mit großer Kapazität, Gleichstromquelle ohne Innenwiderstandskurzschluss
Analysezweck: Dynamische Parameter finden
Grafische Methode
Belastung der Eingangsschleife
Ausgangsschleifenlast
Anwendung
Spannungsverstärkungsanalyse
uI gibt die Gleichung ein, um iI zu finden, iI gibt die grafische Lösung aus, um uO zu finden
Nichtlineare Verzerrung der Wellenform
Cutoff-Verzerrung (UO-Top-Verzerrung)
Grund: Wenn das Eingangssignal in der negativen Halbwelle einen Spitzenwert hat, ist uBE kleiner als Uon und der Transistor wird ausgeschaltet.
Maximale Uom: IbR-Last/Quadratwurzel zwei
Erläuterung: Versetzen Sie Ic, um den Partialdruck von Rc zu minimieren
Lösung: Erhöhen Sie VBB, um ein Eindringen in den Sperrbereich zu verhindern
Sättigungsverzerrung (UO-Bodenverzerrung)
Grund: Wenn das Eingangssignal in der positiven Halbwelle seinen Höhepunkt erreicht, ist ic zu groß und uce zu klein und der Transistor gelangt in die Sättigungszone.
Maximale Einheit: UCQ-UCES
Lösung: Vcc erhöhen/Rc verringern/Rb erhöhen/Röhre mit kleinerem β austauschen
Es ist am besten, den Q-Punkt in der Mitte der Lastlinie im Verstärkungsbereich (Vcc VCES)/2 festzulegen. Zu diesem Zeitpunkt ist Uom am größten
Bestimmen Sie, welche Verzerrung zuerst auftritt, wenn uI zunimmt
Beim Vergleich von UCEQ-UCES und ICQ·RL‘ stellt ersteres die Spannungsdifferenz vom Q-Punkt bis zum kritischen Zustand der Sättigungsverzerrung dar, und letzteres stellt die Spannungsdifferenz vom Q-Punkt bis zum kritischen Zustand der Grenzverzerrung dar.
DC-Lastleitung und AC-Lastleitung
Beide passieren den Q-Punkt und die AC-Lastlinie umfasst auch die Last RL, sodass der Absolutwert der Steigung der AC-Lastlinie größer ist.
Die beiden fallen bei der direkten Kopplung zusammen, und die beiden fallen bei der Widerstand-Kapazitäts-Kopplung nur zusammen, wenn keine Last vorhanden ist.
Ersatzschaltbildverfahren
Transistor-DC-Äquivalentmodell
UBEQ benötigt einen festen Spannungsabfall, ICQ hängt nur von IBQ ab
Häufig verwendetes h-Parameter-Äquivalentmodell (geeignet für Wechselstrom)
Dies ist nur anwendbar, wenn sich der Transistor in der Verstärkungszone befindet. Daher muss zuerst der Q-Punkt mit der DC-Pfad-Methode und gleichzeitig rbe gefunden werden.
h11: Dynamischer Widerstand rbe zwischen be unter der Wirkung eines kleinen Signals und rbe=Ube/Ib (statische Analyse ist nicht beteiligt)
h12e: Der Einfluss der Ausgangskreisspannung auf die Eingangskreisspannung (sehr gering)
h21e: aktueller Verstärkungskoeffizient β
h22e: Der Kehrwert des dynamischen Widerstands rce zwischen ce (sehr klein)
Die Eingangsschleife entspricht nur einem dynamischen Widerstand rbe und die Ausgangsschleife entspricht nur einer gesteuerten Quelle.
Analyse dynamischer Parameter einer Verstärkerschaltung mit gemeinsamem Emitter
Spannungsverstärkung Au
Das Verhältnis der Ausgangsspannung zur Signalquellenspannung Aus
Eingangswiderstand: das Verhältnis des Effektivwerts der Eingangsspannung zum Effektivwert des Eingangsstroms
Ausgangswiderstand: Der äquivalente verfügbare Gesamtwiderstand von Norton ist die Summe der parallel zur Last geschalteten Widerstände
四、 Stabilisierungsmethode des statischen Betriebspunkts Q
Einfluss der Temperatur auf den Q-Punkt
(1) Eingabekurve: IB steigt und die Kurve bewegt sich nach links
(2) Ausgangskurve: Ic steigt, der Q-Punkt bewegt sich nach oben, das Kurvenintervall nimmt zu (aufgrund von IB) und es kann zu Sättigungsverzerrungen kommen
Lösung: Kollektor-Vorwiderstand Re
Zweck: Icq stabil machen
Prinzip: Im Vergleich zu IB ist Ic größer, Ic steigt, Ue (Re-Shunt) steigt, Ube (Basisspannung) nimmt ab und Ib nimmt ab
Der stabile Zustand ist I1>Ib (d. h. der Basisstrom macht vor dem Rangieren eine Minderheit aus)
Der Wert von Re: Re》Rb/(1 β) wobei Rb Rb1//Rb2 ist
Statische Betriebspunktschätzung (anwendbar für Q-Punkt-Stabilisierungsschaltung)
Abgeleitet von der Thevenin-Transformation
Die aus I1》Ib erhaltene Formel
Bei (1 β)Re》Re sind die beiden Ausdrücke gleich und erfüllen die Stabilitätsbedingung
Dynamische Parameterschätzung
In der Q-Punkt-Stabilitätsschaltung können die dynamischen Parameter geschätzt werden, wenn die Bedingungen für die Q-Punkt-Stabilität erfüllt sind.
Spannungsverstärkungsfaktor
vor der Schätzung
Nach Schätzung
Eingangswiderstand
五、 Feldeffekttransistor
Memo
场效应管特性曲线汇总:书43页
Drei grundlegende Verbindungsmethoden
Grundlegender gemeinsamer Ursprung
Niederfrequentes Kleinsignaläquivalent
Grundlegende häufige Leckage
grundlegendes gemeinsames Tor
Bias-Methode
Autarke Vorspannung: Dem Gate wird keine zusätzliche Gleichspannung zugeführt und das Source-Potenzial wird durch die Spannungsteilung des Source-Widerstands angehoben, um eine Gate-Source-Vorspannung zu erzeugen.
Geteilte Vorspannung: Basierend auf der autarken Vorspannung werden Rg1 und Rg2 verwendet, um Vcc auf den g-Pol zu teilen.
Ein kleiner Kehrwert von rce bedeutet, dass rce extrem groß ist, wenn der Transistor in der statischen Analyse parallel zu Re geschaltet wird, ist UCEQ gleich dem Partialdruck von Re in Re Rc.
zur Ableitung
zur Ableitung
Ungefährer Ausdruck von rbe
rbe besteht aus rbb' auf der Basisseite und rb'e auf der Emitterseite, wobei ersteres im Allgemeinen gegeben ist und letzteres berechnet werden kann
rbe=rbb‘ UT/Ib (UT ist auf 26 mV festgelegt)