Galerie de cartes mentales Cadre de connaissances sur les circuits électroniques analogiques
Cadre de connaissances sur les circuits électroniques analogiques, comprenant : semi-conducteur, jonction PN (P-N), application de diode (Diode Application), niveaux de résistance (Niveaux de résistance).
Modifié à 2023-01-08 20:11:01Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
La gestion de projet est le processus qui consiste à appliquer des connaissances, des compétences, des outils et des méthodologies spécialisés aux activités du projet afin que celui-ci puisse atteindre ou dépasser les exigences et les attentes fixées dans le cadre de ressources limitées. Ce diagramme fournit une vue d'ensemble des 8 composantes du processus de gestion de projet et peut être utilisé comme modèle générique.
Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
Cent ans de solitude est le chef-d'œuvre de Gabriel Garcia Marquez. La lecture de ce livre commence par l'analyse des relations entre les personnages, qui se concentre sur la famille Buendía et raconte l'histoire de la prospérité et du déclin de la famille, de ses relations internes et de ses luttes politiques, de son métissage et de sa renaissance au cours d'une centaine d'années.
La gestion de projet est le processus qui consiste à appliquer des connaissances, des compétences, des outils et des méthodologies spécialisés aux activités du projet afin que celui-ci puisse atteindre ou dépasser les exigences et les attentes fixées dans le cadre de ressources limitées. Ce diagramme fournit une vue d'ensemble des 8 composantes du processus de gestion de projet et peut être utilisé comme modèle générique.
Diode semi-conductrice
semi-conducteur
Matériau semi-conducteur
Ge
Si
GaAs
Les semi-conducteurs sont électriquement neutres par rapport au monde extérieur
Semi-conducteur intrinsèque
Définition : Un semi-conducteur pur totalement exempt d’impuretés et de défauts cristallins
Caractéristiques
Concentration d'électrons = Concentration de trous
Mauvaise conductivité électrique
Faible concentration de porteurs
À mesure que la température augmente, le nombre de porteurs augmente
Excitation intrinsèque : Lorsque la température du semi-conducteur est T>0K, les électrons se détachent de la liaison covalente pour former des électrons libres.
porteurs intrinsèques
Trou : lacune formée lorsqu'un électron se détache d'une liaison covalente et devient un électron libre.
Électrons libres : les électrons de Valence rompent les liaisons covalentes et forment des électrons en mouvement libre
impureté semi-conducteur
Semi-conducteur de type N (type N)
Présentation d'éléments 5-valents (ions donneurs)
phosphore
antimoine
arsenic
Caractéristiques
électriquement neutre
Haute conductivité
Le cinquième électron supplémentaire n’est associé à aucune liaison covalente spécifique
Semi-conducteur de type P (type P)
Présentation d’éléments trivalents (ions accepteurs)
bore
gallium
indium
Caractéristiques
électriquement neutre
Pas assez d’électrons pour former des liaisons covalentes, créant des trous
Jonction PN (jonction P-N)
Formation : La région d'impuretés de type N est en contact étroit avec une région d'impuretés de type P et une région d'appauvrissement est générée à la jonction.
Mouvement de diffusion des porteurs : différence de concentration
De nombreux porteurs (trous) dans la région de type P diffusent vers la région de type N
Diffusion d'électrons (électrons) de la région de type N vers la région de type P
mouvement de dérive
Les ions chargés piégés (ions négatifs de type P, ions positifs de type N) forment un champ électrique auto-construit, poussant les porteurs minoritaires à se déplacer vers un potentiel faible.
Caractéristiques
La direction du champ électrique interne de la jonction PN va de la région N vers la région P.
A une conductivité unidirectionnelle
La tension externe fait circuler le courant de N vers P, avec une résistance élevée et un faible courant.
La tension externe fait circuler le courant de P à N, avec une faible résistance et un courant important.
Polarisation directe : la borne P est connectée au positif, la borne N est connectée au négatif, la couche d'appauvrissement devient plus étroite, aggrave le mouvement de diffusion, empêche le mouvement de dérive et la jonction PN est activée
Polarisation inverse : la borne N est connectée à l'électrode positive, la borne P est connectée à l'électrode négative, le champ électrique interne est renforcé, la couche d'appauvrissement s'élargit, le courant de dérive provient du porteur minoritaire, le courant est très faible , et la jonction PN est coupée
L'équation de Shockley :
est le courant de saturation inverse
est la tension de polarisation directe appliquée à la diode
est le facteur idéal, généralement 1
Tension thermique :
Constante de Boltzmann k
charge q
panne inversée
Panne électrique (réversible)
Panne Zener
panne d'avalanche
Panne thermique (irréversible)
Application de diodes
Circuit équivalent à diode
circuit équivalent idéal
Le courant circule du pôle positif de la diode vers le pôle négatif et le circuit est allumé
Le courant circule du pôle négatif de la diode vers le pôle positif et le circuit est déconnecté
Circuit équivalent simplifié/approximatif
La tension des diodes ne peut être ignorée. La tension des diodes au silicium est généralement de 0,7 V.
Circuit équivalent linéaire par morceaux
Modèle équivalent
Diode idéale, ignorer la tension de la diode
Diode simplifiée
rectification demi-onde
Entrée CA, sortie CC
rectification pleine onde
circuit limiteur
Niveaux de résistance
Résistance CA
Type de résistance
Résistance CC ou statique
Résistance CC
Résistance AC ou dynamique
La résistance AC dépend du point de fonctionnement DC Q-Point dans la diode
Résistance CA moyenne
Définition de ligne à portée
Logiciel utilisé : Mindmaster
Transistors à jonction bipolaire
triode
Type de transistor
NPN
PNP
structure
Collectionneur C
Émetteur E
relation:
Socle B
NPN
conditions internes
La région d'émission est fortement dopée
Surface de base fine
Grande zone de jonction des collecteurs
F
jonction d'émetteur polarisée en direct
polarisation inverse de jonction de collecteur
Date limite
état agrandi
état saturé
Biaisage DC-BJT
Répartition actuelle
Distribution de tension
Loi de tension de Kirchhoff
Principe d'amplification
Configuration à polarisation fixe
Boucle base-émetteur
Boucle collecteur-émetteur
Saturation des transistors
Analyse de ligne de charge
Circuit de polarisation de stabilisation de l'émetteur
Comment : L'ajout d'une résistance à l'émetteur peut améliorer la stabilité du transistor
Boucle base-émetteur
Boucle collecteur-émetteur
circuit de polarisation diviseur de tension
formule
Analyse approximative
Retour de tension polarisation CC
Boucle base-émetteur
Boucle collecteur-émetteur
Analyse BJT AC
Amplification du champ de communication
Fonction d'alimentation CC
fonction transistor
Modélisation de transistors BJT
Réseau CA
Supprimer l'alimentation CC
Les condensateurs de couplage et les condensateurs de dérivation peuvent être remplacés par des courts-circuits
Circuit équivalent CA
modèle de transistor
Biais fixe de l'émetteur commun
juge
juge
juge
polarisation du diviseur de tension
juge
juge
Biais d'émetteur CE
émetteur suiveur
juge
Transistors à effet de champ
Transistor à effet de champ à jonction (JFET)
structure
canal N et canal P
Caractéristiques de transfert JFET
L'équation de Shockley
courbe de transfert
relation importante
JFET
BJT
Transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET)
taper
n canal
Amélioré
type d'épuisement
Canal P
Amélioré
type d'épuisement
Caractéristiques (type d'épuisement de canal n)
Courbe caractéristique
démarrer
Schéma
type d'épuisement
Amélioré
Les principaux paramètres
Paramètres CC
Allumer la tension VT (paramètre amélioré)
Tension de pincement VP (paramètre du mode d'épuisement)
Courant de fuite de saturation IDSS (paramètre du mode d'épuisement)
Résistance d'entrée CC RGS
Paramètres CA
Résistance de sortie rds
Conductance mutuelle basse fréquence gm
Paramètres limites
analyser
Pour tous les FET
Pour les JFET et les MOSFET en mode d'épuisement
MOSFET améliorés