Conditions d'équilibre thermique (porteurs majoritaires * concentration de porteurs minoritaires = carré de la concentration de porteurs) ; conditions de neutralité électrique (porteurs majoritaires = porteurs minoritaires dopés) ;

La concentration en porteurs majoritaires est approximativement égale à la concentration en dopants et n'a rien à voir avec la température ; la concentration en porteurs minoritaires augmente de manière significative à mesure que la température augmente.

Lorsque la température augmente, les semi-conducteurs impuretés se transforment en semi-conducteurs intrinsèques.

Mouvement de diffusion (différence de concentration)

Mouvement de dérive (force du champ électrique)

Différence de concentration, diffusion multiporteuse, génération de région de charge d'espace, champ électrique intégré (empêche la diffusion multiporteuse et facilite la dérive des porteurs minoritaires), équilibre dynamique

Tension directe, la direction du champ électrique externe est opposée au champ électrique interne, la couche d'appauvrissement devient plus étroite, le mouvement de diffusion s'intensifie (la concentration de polyons augmente) et la conductivité augmente

Conduite directe, blocage inverse

panne inversée

Capacité de barrière (diode Varactor)

Capacité de diffusion

modèle idéal

Modèle à tension constante (chute)

modèle de polyligne

Au point de fonctionnement statique, la diode équivaut à une résistance dynamique (résistance AC), rd = UT/ID Plus le point Q est élevé, plus rd est petit.

Caractéristiques voltampères (la zone de panne tremble beaucoup)

Paramètres principaux

Résoudre les problèmes

Utiliser la jonction PN pour être sensible à la lumière

Caractéristiques de conduction de polarisation directe (lumières LED, écrans d'affichage)

Caractéristiques de capacité de barrière

Trois configurations

Coefficient d'amplification du courant : émission commune b, base commune a

Deux équations (IE=IB IC,IC»bIB)

Zone de coupure, zone de saturation, zone d'amplification

À mesure que la température augmente, la tension d'activation de l'UBE (on) diminue, le courant de saturation inverse de la jonction du collecteur ICBO augmente et b augmente

mode de grossissement

mode saturation

mode de coupure

modèle équivalent à paramètre h (modèle à petits signaux de type Π mixte), rbe=rbb` (donné dans la tige de la question) bUT/ICQ