Галерея диаграмм связей Интеллект-карта физики-полупроводников
Интеллект-карта о физике полупроводников, включая свободные электроны, кристаллы, собственные полупроводники и т. д. Надеюсь, это поможет всем.
Отредактировано в 2023-11-21 23:29:50A segunda unidade do Curso Obrigatório de Biologia resumiu e organizou os pontos de conhecimento, abrangendo todos os conteúdos básicos, o que é muito conveniente para todos aprenderem. Adequado para revisão e visualização de exames para melhorar a eficiência do aprendizado. Apresse-se e colete-o para aprender juntos!
Este é um mapa mental sobre Extração e corrosão de mim. O conteúdo principal inclui: Corrosão de metais, Extração de metais e a série de reatividade.
Este é um mapa mental sobre Reatividade de metais. O conteúdo principal inclui: Reações de deslocamento de metais, A série de reatividade de metais.
A segunda unidade do Curso Obrigatório de Biologia resumiu e organizou os pontos de conhecimento, abrangendo todos os conteúdos básicos, o que é muito conveniente para todos aprenderem. Adequado para revisão e visualização de exames para melhorar a eficiência do aprendizado. Apresse-se e colete-o para aprender juntos!
Este é um mapa mental sobre Extração e corrosão de mim. O conteúdo principal inclui: Corrosão de metais, Extração de metais e a série de reatividade.
Este é um mapa mental sobre Reatividade de metais. O conteúdo principal inclui: Reações de deslocamento de metais, A série de reatividade de metais.
Физика полупроводников
свободные электроны
выражение k-волнового вектора
кристалл
Атомная плотность
циклический
собственный полупроводник
внешний полупроводник
дефект
Точечные дефекты: пробелы. Линейные дефекты: вакансии. Плоские дефекты: дефекты упаковки и границы зерен.
корпускулярно-волновой дуализм
маленький размер
Волатильность
Большой размер
природа частицы
Уравнение Шрёдингера
Теорема Блоха
Зона Бриллюэна
собственный полупроводник
концепция
Ширина запрещенной зоны
Кремний Si=1,12 эВ Германий Ge=0,67 эВ Арсенид галлия GaAs=1,43 эВ
большинство
Высокая температура и легкий переход
эффективная масса
Электронная структура эффективная масса
эффективная масса плотности состояний
Эффективная масса проводимости
Функции
Квазикинетическая энергия
Концентрация электронов и дырок равна
примесный полупроводник
Виды примесей
зазор
заменять
полупроводник n-типа
Энергетический уровень донора
высвобождать электроны
Семья В.
полупроводник p-типа
Уровень энергии акцептора
связанные электроны
Группа III
положение энергетического уровня
невырожденный полупроводник
Неглубокий энергетический уровень
Донорная энергия ионизации
Энергия ионизации акцептора
компенсировать
Есть типы p и n.
глубокий энергетический уровень
несколько энергетических уровней
длинная дистанция
центр компаундирования
Рекомбинировать электронно-дырочную пару
эффект ловушки
захватить авианосец
Слабо вырожденный полупроводник
Вырожденный полупроводник
Уровень Ферми не находится в запрещенной зоне.
дистрибуция операторов связи
концепция уровня энергии
уровень энергетической зоны
плотность состояний
нижний проводник
верхняя часть ценового диапазона
электронная функция распределения вероятностей
Функция распределения Ферми
уровень Ферми
Функция распределения Больцмана
Концентрация (невырожденная)
концентрация электронов в зоне проводимости
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости
Концентрация дырок в валентной зоне
Эффективная плотность состояний в валентной зоне
продукт концентрации
Уровень примесей
Энергетический уровень донора
электронная вероятность
Вырождение основного состояния уровня энергии донора
Обычно берут 2
Концентрация электронов на энергетическом уровне донора
Ионизированная донорская концентрация
Уровень энергии акцептора
вероятность дырки
Вырождение основного состояния акцепторного уровня энергии
Обычно берут 4
Концентрация дырок на уровне энергии акцептора
Концентрация ионизирующих акцепторов
температура
донор
Низкотемпературная зона слабой ионизации
Сильная ионизация (зона насыщения)
Концентрация доноров в профсоюзе
Переходная зона
собственная высокотемпературная зона
получатель
Низкотемпературная зона слабой ионизации
Сильная ионизация (зона насыщения)
Объединенная концентрация акцепторов
Переходная зона
собственная высокотемпературная зона
проводимость
концепция
Проводимость
Удельное сопротивление
n тип
тип р
Внутренний
рассеяние
Рассеяние на ионизированных примесях (i)
Концентрация примесей
Решётчатое колебательное рассеяние
Рассеяние акустических волн (с)
Рассеяние оптических волн (о)
Фононная энергия
Другое рассеяние
Формула отношений
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
мобильность
неравновесный
миноритарные перевозчики
концепция
концентрация
небольшая инъекция
Неравновесные носители намного меньше концентрации нескольких носителей.
большая инъекция
Неравновесных носителей гораздо больше, чем концентрация нескольких носителей.
Неравновесная концентрация носителей
Время жизни: время, в течение которого концентрация неравновесных носителей уменьшается до 1/e.
Квази-уровень Ферми
Электронный квазиуровень Ферми
Дырочный квазиуровень Ферми
продукт
Соответствие между концентрацией и уровнем энергии
сложный
форма
излучать фотоны
светиться
излучать фононы
вибрация решетки
Шнековое соединение
Увеличение кинетической энергии носителя
процесс
внутренний
прямой
прямая чистая ставка начисления процентов
Сильный n-тип Сильный внутренний p-тип
косвенный
4 процесса
Эмиссия электронов и дырок
Захват электронов и дырок
параметр
Электронная концентрация энергетического уровня рекомбинационного центра
концентрация рекомбинационного центра
чистая сложная ставка
жизнь
Захватить поперечное сечение
поверхность
ловушка
концентрация накопления электронов на уровне энергии ловушки
Уровень энергии ловушки
глубокий энергетический уровень
диффузионное движение
универсальное решение
n тип
достаточно толстый
плотность диффузионного потока
Должен быть толстым (W)
Длина диффузии
Плотность тока
дрейфовать
Разность потенциалов
диффузия
разница концентраций
Отношения Эйнштейна
Подведем итог
双极输运方程
小注入n型
小注入p型
упрощать
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合
р-н-переход
область пространственного заряда
Разность потенциалов
Si0,7 Ge0,3
Прямое смещение становится меньше, а обратное смещение становится больше.
идеальный pn-переход
параметр
Неуравновешенные мало детей
Плотность тока
Одностороннее соединение
Обратный ток насыщения
J увеличивается с температурой
действительный
Положительный уклон
а. Барьерный ток рекомбинации.
Плотность рекомбинационного тока
б. Диффузионный ток
в. Большая инъекция.
d. Линейный (эффект последовательного сопротивления).
обратное смещение
Потенциальный барьер производит ток
генерировать ток
авария
сход лавины
эффект мультипликатора
положительный температурный коэффициент
разрушение туннеля
Пройти через запретную зону
отрицательный температурный коэффициент
термический пробой
термическая нестабильность
емкость
Распределение примесей
ширина барьера
барьерная емкость
Диффузионная емкость
мутационный узел
линейный перекресток
туннельный эффект
Запрещенная полоса пропускания слишком узкая
Чрезвычайно высокая частота, чрезвычайно высокая температура
отрицательное сопротивление
РС
концепция
рабочая функция
рабочая функция металла
высота металлического барьера
Работа выхода полупроводника
высота полупроводникового барьера
Приложенное напряжение
полупроводниковый барьер
металлический барьер
неизменный
постоянный
выпрямитель
трогать
Исправление контакта
теория диффузии
толстый барьерный слой
Движение носителя = диффузия дрейфа
Ширина слоя истощения
Изменяется в зависимости от напряжения, не насыщается
Теория термоэлектронной эмиссии
за пределами барьеров
Эффективная константа Ричардсона
Независимость от напряжения, функция температуры
Зеркальная сила
Положительный заряд, индуцированный металлом
Максимальное положение барьера
Снижение барьеров
туннельный эффект
барьер проникновения
Снижение барьеров
критическая толщина барьера
Диоды Шоттки
высокая частота
Большой обратный ток насыщения
Нижнее напряжение прямой проводимости — 0,3 В.
Омический контакт
тонкий барьер
Проникнуть через барьер
Металлы - Сильнолегированные полупроводники - Легированные полупроводники
состояние поверхности
МИС
параметр
идеальные условия
тип р
состояние
зона поверхностной энергии
Напряжение
Напряженность электрического поля на поверхности
поверхностная плотность заряда
емкость на единицу площади
многодетное накопление
плоский ремень
Утомление многих сыновей
Антитип
слабый антитип
сильный антитип
действительный
Разница в работах выхода металлов и полупроводников равна нулю.
плоскозонное напряжение
Внутри изоляционного слоя нет заряда, и изоляционный слой полностью непроводящий.
На границе изолятора и полупроводника отсутствует интерфейсное состояние.
C-V характеристики
Пропустить низкоомное сопротивление высокой частоты
n тип
Чэнь Пеймин
р-н-переход
туннельный эффект
Запрещенная полоса пропускания слишком узкая
Чрезвычайно высокая частота, чрезвычайно высокая температура
отрицательное сопротивление
емкость
Распределение примесей
ширина барьера
емкость
Диффузионная емкость
мутационный узел
линейный перекресток
идеальный pn-переход
Неуравновешенные мало детей
Плотность тока
Одностороннее соединение
Обратный ток насыщения
J увеличивается с температурой
Положительный уклон
а. Барьерный ток рекомбинации.
Плотность рекомбинационного тока
б. Диффузионный ток
в. Большая инъекция.
д. Линейный
обратное смещение
Потенциальный барьер производит ток
генерировать ток
авария
сход лавины
эффект мультипликатора
положительный температурный коэффициент
разрушение туннеля
Пройти через запретную зону
отрицательный температурный коэффициент
термический пробой
термическая нестабильность
область пространственного заряда
Разность потенциалов
Si0,7 Ge0,3
Прямое смещение становится меньше, а обратное смещение становится больше.
Энергетическая зона и распределение носителей при тепловом равновесии
базовый
одноэлектронное приближение
за кубический сантиметр
Кремний 5*10E22
Германий 2,42*10Е22
Эффективное число атомов в элементарной ячейке алмаза равно 8.
свободные электроны
выражение k-волнового вектора
Ширина запрещенной зоны
Алмаз 6~7 эВ, кремний 1,12 эВ, германий 0,67 эВ, арсенид галлия 1,43 эВ
Высокая температура становится меньше
эффективная масса
Валентная зона отрицательна
Квазикинетическая энергия
дыра
примесный полупроводник
Примеси
зазор
заменять
полупроводник n-типа
Энергетический уровень донора
высвобождать электроны
Семья В.
полупроводник p-типа
Уровень энергии акцептора
связанные электроны
Группа III
уровень энергии
невырожденный полупроводник
Неглубокий энергетический уровень
Донорная энергия ионизации
Энергия ионизации акцептора
компенсировать
Есть типы p и n.
глубокий энергетический уровень
несколько энергетических уровней
длинная дистанция
центр компаундирования
Рекомбинировать электронно-дырочную пару
эффект ловушки
захватить авианосец
Слабо вырожденный полупроводник
Вырожденный полупроводник
Уровень Ферми не находится в запрещенной зоне.
дистрибуция операторов связи
уровень энергетической зоны
плотность состояний
нижний проводник
верхняя часть ценового диапазона
электронная функция распределения вероятностей
Функция распределения Ферми
уровень Ферми
Функция распределения Больцмана
Концентрация (невырожденная)
концентрация электронов в зоне проводимости
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости
Концентрация дырок в валентной зоне
Эффективная плотность состояний в валентной зоне
продукт концентрации
внутренняя концентрация
Уровень примесей
Энергетический уровень донора
электронная вероятность
Вырождение основного состояния уровня энергии донора
Обычно берут 2
Концентрация электронов на энергетическом уровне донора
Ионизированная донорская концентрация
Уровень энергии акцептора
вероятность дырки
Вырождение основного состояния акцепторного уровня энергии
Обычно берут 4
Концентрация дырок на уровне энергии акцептора
Концентрация ионизирующих акцепторов
температура
донор
Низкотемпературная зона слабой ионизации
Сильная ионизация (зона насыщения)
Концентрация доноров в профсоюзе
Переходная зона
собственная высокотемпературная зона
получатель
Низкотемпературная зона слабой ионизации
Сильная ионизация (зона насыщения)
Объединенная концентрация акцепторов
Переходная зона
собственная высокотемпературная зона
Феномен перевозчика
проводимость
Проводимость
Удельное сопротивление
n тип
тип р
Внутренний
рассеяние
Рассеяние на ионизированных примесях (i)
Концентрация примесей
Решётчатое колебательное рассеяние
Рассеяние акустических волн (с)
Рассеяние оптических волн (о)
Фононная энергия
Другое рассеяние
Формула отношений
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
мобильность
неравновесный
миноритарные перевозчики
концентрация
небольшая инъекция
Неравновесные носители намного меньше концентрации нескольких носителей.
большая инъекция
Неравновесных носителей гораздо больше, чем концентрация нескольких носителей.
Неравновесная концентрация носителей
Время жизни: время, в течение которого концентрация неравновесных носителей уменьшается до 1/e.
Квази-уровень Ферми
Электронный квазиуровень Ферми
Дырочный квазиуровень Ферми
продукт
Соответствие между концентрацией и уровнем энергии
сложный
форма
излучать фотоны
светиться
излучать фононы
вибрация решетки
Шнековое соединение
Увеличение кинетической энергии носителя
процесс
внутренний
прямой
прямая чистая ставка начисления процентов
Сильный n-тип Сильный внутренний p-тип
косвенный
4 процесса
Эмиссия электронов и дырок
Захват электронов и дырок
параметр
Электронная концентрация энергетического уровня рекомбинационного центра
концентрация рекомбинационного центра
чистая сложная ставка
жизнь
Захватить поперечное сечение
поверхность
ловушка
концентрация накопления электронов на уровне энергии ловушки
Уровень энергии ловушки
глубокий энергетический уровень
диффузионное движение
универсальное решение
n тип
достаточно толстый
плотность диффузионного потока
Должен быть толстым (W)
Длина диффузии
Плотность тока
дрейфовать
Разность потенциалов
диффузия
разница концентраций
Отношения Эйнштейна
биполярное уравнение переноса
Малый впрыск n-типа
Малый впрыск p-типа
упрощать
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合