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遷移率和雜質濃度和溫度的關係、平均自由時間和散射機率的關係、電導率遷移率與平均自由時間的關係、遷移率與雜質和溫度的關係。
編輯於2022-11-01 14:34:33이것은 (III) 저산소증-유도 인자 프롤릴 하이드 록 실라 제 억제제에 대한 마인드 맵이며, 주요 함량은 다음을 포함한다 : 저산소증-유도 인자 프롤릴 하이드 록 실라 제 억제제 (HIF-PHI)는 신장 빈혈의 치료를위한 새로운 소형 분자 경구 약물이다. 1. HIF-PHI 복용량 선택 및 조정. Rosalasstat의 초기 용량, 2. HIF-PHI 사용 중 모니터링, 3. 부작용 및 예방 조치.
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半導體物理學
第一章 半導體中的電子狀態
半導體的晶格結構與結合性質
鑽石型結構與共價鍵
閃鋅礦型結構和混合鍵
鉛鋅礦型結構
半導體中電子狀態和能帶
原子能階和晶體的能帶
半導體中電子的狀態和能帶
導體半導體絕緣體的能帶
半導體中電子的運動,有效質量
半導體中E(k)和k的關係
電子的平均速度
有效品質的意義
電子的加速度
本徵半導體的導電機構 電洞
迴旋共振
矽和鍺的能帶結構
Ⅲ,Ⅴ族化合物半導體的能帶結構
第二章 半導體中雜質和缺陷能階
矽鍺晶體中的雜質能階
替位式雜質,間隙式雜質
施主雜誌,施主能階
受主雜質,受主能階
潛能階雜質電離能的計算
雜質的補償作用
深能階雜質
Ⅲ,Ⅴ族化合物中的雜質能階
缺陷,位錯能階
點缺陷
位元錯
第三章 半導體中載子的統計分佈
狀態密度
k空間中量子態的分佈
狀態密度
費米能階和載流子的統計分佈
費米分佈函數
波茲曼分佈函數
導帶中電子濃度和價帶中電洞濃度
載子濃度乘積
本徵半導體的載子濃度
雜質半導體的載子濃度
雜質能階上的電子和電洞
n型半導體的載子濃度
一般情況下的載子統計分佈
簡併半導體
簡併化條件
簡併半導體的載子濃度
低溫載子的凍析效應
禁帶變窄效應
電子佔據雜質能階的機率
討論
求解統計分佈函數
第四章 半導體的導電性
載流子的漂移運動和遷移率
歐姆定律
漂移速度和遷移率
半導體的電導率和遷移率
載子的散射
載子散射的概念
半導體的主要散射機構
遷移率和雜質濃度和溫度的關係
平均自由時間和散射機率的關係
電導率遷移率與平均自由時間的關係
遷移率與雜質和溫度的關係
電阻率及其與雜質濃度和溫度的關係
電阻率和雜質濃度的關係
電阻率隨溫度的變化
玻爾茲曼方程,電導率的統計理論
強電場下的效應,熱載子
歐姆定律的偏離
平均漂移速度和電場強度的關係
多能谷散射,耿式效應
第五章 非平衡載子
非平衡載子的注入與複合
非平衡狀態
非平衡載子的產生
非平衡載子的壽命
準費米能階
複合理論
直接複合
間接複合
表面複合
俄歇複合
陷阱效應
載子擴散運動
載流子的漂移擴散,愛因斯坦關係式
連續性方程
矽的少數載子壽命與擴散長度
20電科王文懷