心智圖資源庫 半導體三極體
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱為雙極型電晶體、電晶體三極管,是控制電流的半導體元件。其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號,也當作無觸點開關。
編輯於2022-04-22 12:43:42이것은 (III) 저산소증-유도 인자 프롤릴 하이드 록 실라 제 억제제에 대한 마인드 맵이며, 주요 함량은 다음을 포함한다 : 저산소증-유도 인자 프롤릴 하이드 록 실라 제 억제제 (HIF-PHI)는 신장 빈혈의 치료를위한 새로운 소형 분자 경구 약물이다. 1. HIF-PHI 복용량 선택 및 조정. Rosalasstat의 초기 용량, 2. HIF-PHI 사용 중 모니터링, 3. 부작용 및 예방 조치.
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半導體三極體
結構
分類
按頻率
低頻
高頻
按結構
NPN型:Uc>Ub>Ue
PNP型:Ue>Ub>Uc
Uc:集電極;Ub:基區;Ue:射極
按材料
鍺管
矽管
按功率
小,中,大
特點
基區薄,摻雜濃度低
發射區的雜質濃度很高
集電結比發射結厚
工作條件
內部條件:發射區摻雜高,基區摻雜低且薄,集電結厚
外部條件:發射結正偏,集電結反偏
三級電流
形成:IE:多數載子向基區擴散 IB:自由電子在基區與電洞複合 IC:集電區收集的自由電子
關係
主要關係
IE=IB IC
IE>IC,IC>IB,IE>IB
IC與IB的關係:β=IC/IB,β共射極直流放大係數
IC與IE關係:α=IC/IE,α為共基級電流放大係數
伏安特性
伏安特性曲線
輸入
當Uce<1V時:發射結正偏、集電結正偏
當UcE≥1V時:發射結正偏、集電結反偏
輸出
放大區
條件:發射結正偏,集電結反偏
特點:
基極控制集電集, IC=βIB
矽管0.7V;鍺管0.3V
截止區
條件:發射結反偏,集電結反偏
特點:
基級電流IB=0,集電極IC小, IC≈IE≈0
集電極和射極相當於斷開
飽和區
條件:發射結正偏,集電結正偏
特點:
Uce增,Ic升
飽和電壓:矽Uces=0.3V,鍺Uces=0.1V
發射結正偏:矽0.7V,鍺0.3V
放大電路
基本原理
本質:直流電源的能量轉交流訊號的能量
定義:能夠放大微弱訊號的類比電路
分類
按訊號強弱
電壓放大電路
功率放大電路
按訊號頻率
直流放大電路
低頻放大電路
高頻放大電路
按使用裝置
電子管放大電路
電晶體放大電路
場效電晶體放大電路
整合運算放大電路
效能
放大倍率A
電壓:Au=uo/ui
電流:Ai=io/ii
功率:Ap=Po/Pi
輸入電阻Ri 定義:輸入端看向輸出端
輸出電阻Ro 定義:輸出端看向輸入端
放大電路的等效電阻
失真
非線性
截止失真:導致輸出波形頂端失真
飽和失真:導致輸出波形底部失真
頻率失真:電容很電感不同頻率造成
組成原理
直流電路
放大訊號提供能量
三極體處於放大狀態
耦合電容
輸入訊號能加到三極管的發射結
放大的訊號有效的輸給負載
規定
直流分量:用lb、 lc、Ube丶Uce
交流分量的瞬吋値:用ip丶 ic、 ube丶uce
交流分量的有效値:用Ib、lc、Ube、 Uce
總量変化 :用ib、ic丶UBE丶UcE
直流通路:交流訊號源置零,電容對直流開路
交流通路:直流電壓源置零;耦合電容視為短路
分析
靜態分析
估算法 直流負載線方程式:
Ucc=IbqRb Ubeq
Uce=Vcc-IcRc
作圖法
根據方程式作曲線
作出輸出直流負載線
找到輸出曲線的Q點
Rb對Q的影響:Ibq=(Ucc-Ube)/Rb
Rc對Q的影響:Uce=Ucc-IcRc
Vcc對Q的影響:平行原位置上下移動
動態波形分析:ic=Icq ic, Uce=Uceq Uce