心智圖資源庫 物理-半導體物理思維導圖
一篇關於物理-半導體物理心智圖,包含自由電子、晶體、本徵半導體等。希望可以對大家有幫助。
編輯於2023-11-21 23:29:50이것은 (III) 저산소증-유도 인자 프롤릴 하이드 록 실라 제 억제제에 대한 마인드 맵이며, 주요 함량은 다음을 포함한다 : 저산소증-유도 인자 프롤릴 하이드 록 실라 제 억제제 (HIF-PHI)는 신장 빈혈의 치료를위한 새로운 소형 분자 경구 약물이다. 1. HIF-PHI 복용량 선택 및 조정. Rosalasstat의 초기 용량, 2. HIF-PHI 사용 중 모니터링, 3. 부작용 및 예방 조치.
이것은 Kuka Industrial Robots의 개발 및 Kuka Industrial Robot의 모션 제어 지침에 대한 마인드 맵입니다. 주요 내용에는 쿠카 산업 로봇의 역사, 쿠카 산업 로봇의 특성, 쿠카 산업 로봇의 응용 분야, 2. 포장 프로세스에서 쿠카 로봇은 빠르고 일관된 포장 작업을 달성하고 포장 효율성을 높이며 인건비를 줄입니다. 2. 인건비 감소 : 자동화는 운영자에 대한 의존성을 줄입니다. 3. 조립 품질 향상 : 정확한 제어는 인간 오류를 줄입니다.
408 컴퓨터 네트워크가 너무 어렵습니까? 두려워하지 마세요! 나는 피를 구토하고 지식 맥락을 명확히하는 데 도움이되는 매우 실용적인 마인드 맵을 분류했습니다. 컨텐츠는 매우 완전합니다. 네트워크 아키텍처에서 응용 프로그램 계층, TCP/IP 프로토콜, 서브넷 디비전 및 기타 핵심 포인트에 이르기까지 원칙을 철저히 이해하는 데 도움이 될 수 있습니다. 📈 명확한 논리 : Mindmas 보물, 당신은 드문 기회가 있습니다. 서둘러! 이 마인드 맵을 사용하여 408 컴퓨터 네트워크의 학습 경로에서 바람과 파도를 타고 성공적으로 해변을 얻으십시오! 도움이 필요한 친구들과 공유해야합니다!
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이것은 Kuka Industrial Robots의 개발 및 Kuka Industrial Robot의 모션 제어 지침에 대한 마인드 맵입니다. 주요 내용에는 쿠카 산업 로봇의 역사, 쿠카 산업 로봇의 특성, 쿠카 산업 로봇의 응용 분야, 2. 포장 프로세스에서 쿠카 로봇은 빠르고 일관된 포장 작업을 달성하고 포장 효율성을 높이며 인건비를 줄입니다. 2. 인건비 감소 : 자동화는 운영자에 대한 의존성을 줄입니다. 3. 조립 품질 향상 : 정확한 제어는 인간 오류를 줄입니다.
408 컴퓨터 네트워크가 너무 어렵습니까? 두려워하지 마세요! 나는 피를 구토하고 지식 맥락을 명확히하는 데 도움이되는 매우 실용적인 마인드 맵을 분류했습니다. 컨텐츠는 매우 완전합니다. 네트워크 아키텍처에서 응용 프로그램 계층, TCP/IP 프로토콜, 서브넷 디비전 및 기타 핵심 포인트에 이르기까지 원칙을 철저히 이해하는 데 도움이 될 수 있습니다. 📈 명확한 논리 : Mindmas 보물, 당신은 드문 기회가 있습니다. 서둘러! 이 마인드 맵을 사용하여 408 컴퓨터 네트워크의 학습 경로에서 바람과 파도를 타고 성공적으로 해변을 얻으십시오! 도움이 필요한 친구들과 공유해야합니다!
半導體物理
自由電子
k波矢表達
晶體
原子密度
週期性
本徵半導體
非本徵半導體
缺陷
點缺陷:間隙 線缺陷:空位 面缺陷:層錯與晶粒間界
波粒二象性
尺寸小
波動性
尺寸大
粒子性
薛丁格方程
布洛赫定理
布里淵區
本徵半導體
概念
禁帶寬度
矽Si=1.12eV 鍺Ge=0.67eV 砷化鎵GaAs=1.43eV
大部分
高溫易躍遷
有效品質
電子結構有效質量
狀態密度有效質量
電導有效質量
特點
準動能
電子電洞濃度相等
雜質半導體
雜質種類
間隙
替位
n型半導體
施主能階
釋放電子
V族
p型半導體
受主能階
束縛電子
III族
能階位置
非簡併半導體
淺能階
施主電離能
受主電離能
補償
存在p、n型
深能階
多能階
距離遠
複合中心
複合一對電子電洞對
陷阱效應
俘獲一種載流子
弱簡併半導體
簡併半導體
費米能階不在禁帶中
載子分佈
能階概念
能帶能階
狀態密度
導帶底
價帶頂
電子機率分佈函數
費米分佈函數
費米能階
波茲曼分佈函數
濃度(非簡併)
導帶電子濃度
導帶的有效狀態密度
價帶電洞濃度
價帶的有效狀態密度
濃度乘積
雜質能階
施主能階
電子機率
施主能階的基態簡併度
通常取2
施主能階電子濃度
電離施主濃度
受主能階
空穴機率
受主能階的基態簡併度
通常取4
受主能階電洞濃度
電離受主濃度
溫度
施主
低溫弱電離區
強電離(飽和區)
未電離的施主濃度
過渡區
高溫本徵區
受主
低溫弱電離區
強電離(飽和區)
未電離的受主濃度
過渡區
高溫本徵區
導電性
概念
電導率
電阻率
n型
p型
本徵
散射
電離雜質散射(i)
雜質濃度
晶格振動散射
聲學波散射(s)
光學波散射(o)
聲子能量
其他散射
公式關係
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
遷移率
非平衡
少數載子
概念
濃度
小注入
非平衡載子遠小於多子濃度
大注入
非平衡載子遠多於多子濃度
非平衡載子濃度
壽命:非平衡載子濃度減少到1/e的時間
準費米能階
電子準費米能階
電洞準費米能階
乘積
濃度與能階的對應關係
複合
形式
發射光子
發光
發射聲子
晶格振動
俄歇複合
增加載子動能
流程
內部
直接
直接淨複合率
強n型 強p型 本徵
間接
4個過程
發射電子、電洞
俘獲電子、電洞
參數
複合中心能階的電子濃度
複合中心濃度
淨複合率
壽命
俘虜截面
表面
陷阱
陷阱能階上電子累積濃度
陷阱能階
深能階
擴散運動
普遍解
n型
夠厚
擴散流密度
一定厚(W)
擴散長度
電流密度
漂移
電位差
擴散
濃度差
愛因斯坦關係式
總結
双极输运方程
小注入n型
小注入p型
簡化
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合
pn結
空間電荷區
電位差
Si0.7 Ge0.3
正偏變小、反偏變大
理想pn結
參數
非平衡少子
電流密度
單嚮導通性
反向飽和電流
J隨溫度上升
實際
正偏
a.勢壘複合電流
複合電流密度
b.擴散電流
c.大注入
d.線性(串聯電阻效應)
反偏
勢壘產生電流
產生電流
擊穿
雪崩擊穿
倍增效應
正溫度係數
隧道擊穿
穿過禁帶
負溫度係數
熱擊穿
熱不穩定性
電容
雜質分佈
勢壘寬度
勢壘電容
擴散電容
突變結
線性緩變結
隧道效應
禁帶寬度過窄
極高頻、極高溫
負電阻
MS
概念
功函數
金屬功函數
金屬勢壘高度
半導體功函數
半導體勢壘高度
外加電壓
半導體勢壘
金屬勢壘
不變化
恆定
整流
接觸
整流接觸
擴散理論
厚阻擋層
載子移動=漂移 擴散
耗盡層寬度
隨電壓變化,不飽和
熱電子發射理論
超越勢壘
有效理查遜常數
與電壓無關,溫度函數
鏡像力
金屬感應正電荷
勢壘極大值位置
勢壘降低量
隧道效應
穿透勢壘
勢壘降低量
臨界勢壘厚度
肖特基二極體
高頻
反向飽和電流大
較低正向導通電壓—0.3V
歐姆接觸
勢壘薄
貫穿勢壘
金屬—重摻雜半導體—摻雜半導體
表面態
MIS
參數
理想條件
p型
狀態
表面能帶
電壓
表面處電場強度
表面的電荷面密度
單位面積上的電容
多子堆積
平帶
多子耗盡
反型
弱反型
強反型
實際
金屬與半導體功函數差為零
平帶電壓
在絕緣層內沒有任何電荷且絕緣層完全不導電
絕緣體與半導體界面處不存在任何界面態
C—V特性
通低阻高頻
n型
陳沛銘
pn結
隧道效應
禁帶寬度過窄
極高頻、極高溫
負電阻
電容
雜質分佈
勢壘寬度
電容
擴散電容
突變結
線性緩變結
理想pn結
非平衡少子
電流密度
單嚮導通性
反向飽和電流
J隨溫度上升
正偏
a.勢壘複合電流
複合電流密度
b.擴散電流
c.大注入
d.線性
反偏
勢壘產生電流
產生電流
擊穿
雪崩擊穿
倍增效應
正溫度係數
隧道擊穿
穿過禁帶
負溫度係數
熱擊穿
熱不穩定性
空間電荷區
電位差
Si0.7 Ge0.3
正偏變小、反偏變大
熱平衡時的能帶和載子分佈
基本
單電子近似
每立方厘米
矽5*10E22
鍺2.42*10E22
鑽石晶胞有效原子數8個
自由電子
k波矢表達
禁帶寬度
鑽石6~7eV、矽1.12eV、鍺0.67eV、砷化鎵1.43eV
高溫變小
有效品質
價帶為負
準動能
空穴
雜質半導體
雜質
間隙
替位
n型半導體
施主能階
釋放電子
V族
p型半導體
受主能階
束縛電子
III族
能階
非簡併半導體
淺能階
施主電離能
受主電離能
補償
存在p、n型
深能階
多能階
距離遠
複合中心
複合一對電子電洞對
陷阱效應
俘獲一種載流子
弱簡併半導體
簡併半導體
費米能階不在禁帶中
載子分佈
能帶能階
狀態密度
導帶底
價帶頂
電子機率分佈函數
費米分佈函數
費米能階
波茲曼分佈函數
濃度(非簡併)
導帶電子濃度
導帶的有效狀態密度
價帶電洞濃度
價帶的有效狀態密度
濃度乘積
本徵濃度
雜質能階
施主能階
電子機率
施主能階的基態簡併度
通常取2
施主能階電子濃度
電離施主濃度
受主能階
空穴機率
受主能階的基態簡併度
通常取4
受主能階電洞濃度
電離受主濃度
溫度
施主
低溫弱電離區
強電離(飽和區)
未電離的施主濃度
過渡區
高溫本徵區
受主
低溫弱電離區
強電離(飽和區)
未電離的受主濃度
過渡區
高溫本徵區
載子的運輸現象
導電性
電導率
電阻率
n型
p型
本徵
散射
電離雜質散射(i)
雜質濃度
晶格振動散射
聲學波散射(s)
光學波散射(o)
聲子能量
其他散射
公式關係
散射概率
平均自由时间
载流子在电场中作漂移运动时,只有在连续两次散射之间的时间内才加速运动,这段时间称为自由时间
迁移率
遷移率
非平衡
少數載子
濃度
小注入
非平衡載子遠小於多子濃度
大注入
非平衡載子遠多於多子濃度
非平衡載子濃度
壽命:非平衡載子濃度減少到1/e的時間
準費米能階
電子準費米能階
電洞準費米能階
乘積
濃度與能階的對應關係
複合
形式
發射光子
發光
發射聲子
晶格振動
俄歇複合
增加載子動能
流程
內部
直接
直接淨複合率
強n型 強p型 本徵
間接
4個過程
發射電子、電洞
俘獲電子、電洞
參數
複合中心能階的電子濃度
複合中心濃度
淨複合率
壽命
俘虜截面
表面
陷阱
陷阱能階上電子累積濃度
陷阱能階
深能階
擴散運動
普遍解
n型
夠厚
擴散流密度
一定厚(W)
擴散長度
電流密度
漂移
電位差
擴散
濃度差
愛因斯坦關係式
雙極輸運方程
小注入n型
小注入p型
簡化
稳定状态
过剩载流子均匀分布
零电场
无过剩载流子产生
无过剩载流子复合