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心智圖資源庫 W1241 Latchup加強措施
W1241 Latchup加強措施
這是一張使用EdrawMind繪製的腦圖，詳細介紹了W1241的Latchup加強方案。內容分為四個主要部分：Pow_sys（包括佈局和原理圖方面的改進，如靠近VSS Pin、增加Ring、添加NMOS穩壓電容等）、LDO（原理圖改進，如增加限流保護、增大電流等）、APR內部（多種加強措施，如增加穩壓電容、更改引出端、加寬走線等）和PAD（NBuffer/PBuffer的Ring設置和PAD間距調整）。這些措施旨在提高電路的抗閂鎖能力。
編輯於2024-11-27 10:20:52
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