傳導干擾：添加輸入π型濾波器（X電容 Y電容 共模電感）， 如TDK的ACM系列。開關管加緩衝電路（RCD吸收）。

輻射干擾：關鍵高頻路徑（如SW節點）覆銅包地，縮短環路面積。 使用展頻技術（如ADI的Silent Switcher）。

損耗分析：導通損耗（MOSFET Rds_on）、開關損耗（與頻率正相關）、電感鐵損。

散熱設計：計算熱阻（如TO-220封裝RθJA=50℃/W），必要時加散熱片或風扇。 高溫場景優先選用SiC或GaN器件（如Cree的C3M系列）。

環路補償設計：通過波特圖調整Type II/III補償網絡，相位裕度需>45°。

動態響應增強：增加輸出電容（低ESR固態電容）， 或採用電壓前饋技術（如TI的D-CAP3架構）。

層疊規劃：4層板典型結構：Top（信號）—GND—Power—Bottom（信號）。

過孔優化：功率路徑過孔陣列（如4個過孔並聯）減少電流密度。

關鍵電源層使用厚銅（如2oz）降低阻抗。

實現方式：通過RC電路控制使能引腳斜率（如TPS5430的SS引腳接10nF電容）。

數字電源可通過PMBus配置啟動時間（如LTC3889）。

避免衝擊電流：限制上電瞬間電容充電電流，防止保險絲熔斷或MOSFET損壞。

抗噪聲設計：反饋走線遠離電感、變壓器，採用差分走線或屏蔽層。

添加RC低通濾波（如1kΩ 100pF）抑制高頻噪聲。

精度提升：使用高精度基準源（如REF5025，±0.05%精度） 反饋電阻選0.1%溫漂型。