Галерея диаграмм связей Полупроводниковые диоды и схемы их применения
Эта карта представляет собой карту знаний о полупроводниках. Ее содержание в основном включает в себя диоды и схемы. Эта карта объясняет полупроводниковые диоды и их прикладные схемы, исходя из основ полупроводников, полупроводниковых диодов, применений полупроводниковых диодов и специальных диодов.
Отредактировано в 2022-06-05 22:09:49A segunda unidade do Curso Obrigatório de Biologia resumiu e organizou os pontos de conhecimento, abrangendo todos os conteúdos básicos, o que é muito conveniente para todos aprenderem. Adequado para revisão e visualização de exames para melhorar a eficiência do aprendizado. Apresse-se e colete-o para aprender juntos!
Este é um mapa mental sobre Extração e corrosão de mim. O conteúdo principal inclui: Corrosão de metais, Extração de metais e a série de reatividade.
Este é um mapa mental sobre Reatividade de metais. O conteúdo principal inclui: Reações de deslocamento de metais, A série de reatividade de metais.
A segunda unidade do Curso Obrigatório de Biologia resumiu e organizou os pontos de conhecimento, abrangendo todos os conteúdos básicos, o que é muito conveniente para todos aprenderem. Adequado para revisão e visualização de exames para melhorar a eficiência do aprendizado. Apresse-se e colete-o para aprender juntos!
Este é um mapa mental sobre Extração e corrosão de mim. O conteúdo principal inclui: Corrosão de metais, Extração de metais e a série de reatividade.
Este é um mapa mental sobre Reatividade de metais. O conteúdo principal inclui: Reações de deslocamento de metais, A série de reatividade de metais.
Глава 1: Полупроводниковые диоды и прикладные схемы
1. Основы полупроводников.
Структура ковалентной связи: атомная структура монокристалла, образованная в результате очистки таких элементов, как кремний.
Проводящие свойства: легирующие свойства, термические свойства, светочувствительные свойства.
Собственный полупроводник: полностью чистый, структурно неповрежденный полупроводниковый кристалл (свободные электроны и дырки генерируются за счет тепловых эффектов/собственных возбуждений).
Журнал Полупроводник
Полупроводник N-типа
Включение пятивалентных элементов, таких как P (донорная примесь)
Свободные электроны являются основными носителями, а дырки - неосновными носителями.
Донорные примеси обеспечивают электроны, положительно заряженные положительные ионы.
Полупроводник P-типа
Включение трехвалентных элементов, таких как B (акцепторная примесь)
Свободные электроны являются неосновными носителями, дырки — основными носителями.
Дырка акцепторной примеси захватывает электрон и представляет собой отрицательно заряженный ион.
ПН-переход
Полупроводники P-типа и полупроводники N-типа изготавливаются на кремниевой пластине с использованием различных процессов, а на границе раздела формируется тонкий слой с особыми физическими свойствами. Область стабильного пространственного заряда, область высокого сопротивления, обедненный слой
Образование: разность концентраций - диффузионное движение мультиносителей - ионы магазина образуют область пространственного заряда - область пространственного заряда образует внутреннее электрическое поле (внутреннее электрическое поле способствует дрейфу неосновных носителей и препятствует диффузии мультиносителей) - достигает динамического равновесия ( диффузионный ток = дрейфовый ток, общий ток равен 0)
Односторонняя проводимость
Прямое напряжение (прямое смещение) Up>Un: внешнее электрическое поле ослабляет внутреннее электрическое поле, способствует диффузии основных носителей и препятствует дрейфу неосновных носителей. Область пространственного заряда становится уже, а PN-переход имеет низкое сопротивление (внутреннее электрическое поле направлено от положительных ионов к отрицательным ионам).
Обратное напряжение (обратное смещение) Up<Un: внешнее электрическое поле усиливает внутреннее электрическое поле, препятствуя диффузии основных носителей и способствуя дрейфу неосновных носителей. Область пространственного заряда становится шире, а PN-переход становится высокоомным.
Уравнение тока (не важно): Ut=26 мВ при комнатной температуре.
Вольтамперные характеристики
Прямая проводимость: преодоление напряжения мертвой зоны 0,5/0,1 В, напряжение проводимости 0,7/0,2 В;
обратное отсечение
Обратный пробой: напряжение пробоя Ubr
емкостный эффект
Барьерная емкость Cb: формируется за счет изменения области пространственного заряда.
Диффузионная емкость Cd: основные носители накапливаются в процессе диффузии.
Емкость перехода: Cj=Cb Cd. Не обращайте внимания на низкие частоты и учитывайте высокие частоты.
2. Полупроводниковые диоды
полупроводниковая структура
Характеристики и параметры полупроводниковых диодов
Максимальный выпрямленный ток If: максимальный прямой средний ток, который может проходить через проводящий диод во время длительной работы. Если он превышает лимит, он будет легко поврежден.
Обратное напряжение пробоя Ubr
Максимальное обратное рабочее напряжение Urm=1/2Ubr
Обратный ток Ir: ток утечки, ток утечки насыщения Is
Максимальная рабочая частота fm: диоду требуется время для переключения состояний
Межэлектродная емкость
Сопротивление постоянному току: источник питания постоянного тока. Rd=Udq/Idq
Микропеременное сопротивление: rd=Ut/Idq (Ut=26мВ)
3. Схема применения полупроводниковых диодов.
Модель диода
Модель постоянного тока
Действует на источники питания постоянного тока и силовые сигнальные цепи переменного тока.
идеальная модель
модель постоянного падения напряжения
полилинейная модель
экспоненциальная модель
модель связи
Действует на цепи малых сигналов переменного тока
модель малого сигнала
Анализ схемы применения диодов
Схема выпрямителя: преобразует входное биполярное напряжение в униполярное выходное. Используйте идеальные модели. Диод действует как переключатель и проводит электричество в одном направлении.
Ограничивающая схема: используйте модель с постоянным падением напряжения. Диод имеет одностороннюю проводимость, и после проведения проводимости напряжение остается неизменным. (Метод анализа: найдите точку заземления; отсоедините диод и проанализируйте напряжение на обоих концах; затем обсудите, включен он или нет, и какое напряжение нужно найти)
Схема переключателя: проводимость и отключение диода эквивалентны включению или выключению переключателя, тем самым реализуя некоторые логические взаимосвязи (метод анализа: сначала предположим, что он включен или выключен; обсудите напряжение на обоих концах; верно ли предположение истина; найдите напряжение, которое нужно найти)
4. Специальные диоды
Стабилитрон
Напряжение пробивного состояния трубки регулятора напряжения постоянно при Ubr=Uz. При обратном пробое, когда ток изменяется в широком диапазоне, происходит лишь небольшое изменение напряжения.
Схема применения
Функция резистора: функция ограничения тока, защита трубки регулятора напряжения, когда изменяется входное напряжение или ток нагрузки, за счет изменения падения напряжения на резисторе выводится сигнал ошибки для регулировки рабочего тока регулятора напряжения; трубки, тем самым стабилизируя напряжение.
Метод анализа: предположим, что достигнуто устойчивое состояние напряжения, сравните напряжения на обоих концах;
Другие специальные диоды
Фотодиод
вел