MindMap Gallery Analog electronic circuit knowledge framework
Analog electronic circuit knowledge framework, including: semiconductor, PN junction (P-N) junction, diode application (Diode Application), resistance levels (Resistance levels).
Edited at 2023-01-08 20:11:01Mappa mentale per l’analisi del controllo della gestione del portata di progetto. Tre sezioni principali: 1. WBS Scope Breakdown – scomposizione gerarchica del lavoro con dettaglio dello Scopo del progetto. 2. Scope Boundary / Exclusions – definizione chiara dei confini del progetto e di ciò che è escluso per evitare scope creep. Strumento ideale per project manager e team di controllo per mantenere allineamento e ridurre rischi.
Questo template, ideato con EdrawMind, è un modello completo per il miglioramento continuo del sistema di gestione della qualità, con una descrizione di circa 500 parole. È strutturato come un diagramma a lisca di pesce, strumento efficace per analizzare le cause principali dei problemi di qualità e definire le leve di controllo necessarie per risolverli. Il processo è organizzato in quattro fasi chiave: la prima è lo standard e la pianificazione, dove si definiscono gli obiettivi di qualità, i criteri di accettazione, i requisiti di prova e le porte di qualità (Quality Gate). La seconda fase analizza i processi e le porte di controllo, per garantire che ogni passaggio del lavoro segua i standard stabiliti. La terza fase riguarda l’esecuzione QA/QC, con la definizione di metodi di prova e ispezione, nonché regole per la gestione dei difetti e delle non conformità. L’ultima fase è il miglioramento e le azioni correttive e preventive (CAPA), insieme a una catena di audit per monitorare l’efficacia delle misure adottate. In basso, una tabella "Quality Gate" permette di tracciare ogni punto di controllo, con criteri specifici, metodi di prova, proprietario e stato di avanzamento. Grazie alla visualizzazione chiara e intuitiva di EdrawMind, questo strumento aiuta il team a identificare le cause root dei problemi di qualità, implementare azioni efficaci e mantenere un ciclo di miglioramento continuo, garantendo la qualità finale del prodotto o servizio.
Questo template, creato con EdrawMind, è un modello di piano di comunicazione ottimizzato, con una descrizione di circa 500 parole. È uno strumento chiave per evitare incomprensioni tra stakeholder, garantire la trasparenza e mantenere il team allineato agli obiettivi del progetto. Il modello è composto da tre elementi fondamentali e interconnessi: la matrice di comunicazione, la cadenza timeline e le regole di comunicazione/SLA. La matrice di comunicazione è una tabella dettagliata dove per ogni pubblico o stakeholder, si definisce il tipo di informazioni da condividere, lo scopo della comunicazione, il canale da utilizzare (email, riunioni, piattaforme di progetto), la frequenza, il proprietario responsabile, il formato e il percorso di escalazione in caso di problemi. La cadenza timeline è una linea temporale che definisce le scadenze delle comunicazioni chiave, garantendo che le informazioni siano condivise in momento opportuno e non si verifichino ritardi o omissioni. Le regole di comunicazione e gli accordi sul livello di servizio (SLA) definiscono le norme formali della comunicazione, come i tempi di risposta, il tono da adottare e le responsabilità di ciascun membro del team. Grazie alla struttura visuale di EdrawMind, questo template permette di pianificare la comunicazione in modo strategico, trasparente e efficiente, riducendo i rischi di cattiva informazione, migliorando la collaborazione e garantendo che tutti gli stakeholder siano informati e coinvolti nel progetto.
Mappa mentale per l’analisi del controllo della gestione del portata di progetto. Tre sezioni principali: 1. WBS Scope Breakdown – scomposizione gerarchica del lavoro con dettaglio dello Scopo del progetto. 2. Scope Boundary / Exclusions – definizione chiara dei confini del progetto e di ciò che è escluso per evitare scope creep. Strumento ideale per project manager e team di controllo per mantenere allineamento e ridurre rischi.
Questo template, ideato con EdrawMind, è un modello completo per il miglioramento continuo del sistema di gestione della qualità, con una descrizione di circa 500 parole. È strutturato come un diagramma a lisca di pesce, strumento efficace per analizzare le cause principali dei problemi di qualità e definire le leve di controllo necessarie per risolverli. Il processo è organizzato in quattro fasi chiave: la prima è lo standard e la pianificazione, dove si definiscono gli obiettivi di qualità, i criteri di accettazione, i requisiti di prova e le porte di qualità (Quality Gate). La seconda fase analizza i processi e le porte di controllo, per garantire che ogni passaggio del lavoro segua i standard stabiliti. La terza fase riguarda l’esecuzione QA/QC, con la definizione di metodi di prova e ispezione, nonché regole per la gestione dei difetti e delle non conformità. L’ultima fase è il miglioramento e le azioni correttive e preventive (CAPA), insieme a una catena di audit per monitorare l’efficacia delle misure adottate. In basso, una tabella "Quality Gate" permette di tracciare ogni punto di controllo, con criteri specifici, metodi di prova, proprietario e stato di avanzamento. Grazie alla visualizzazione chiara e intuitiva di EdrawMind, questo strumento aiuta il team a identificare le cause root dei problemi di qualità, implementare azioni efficaci e mantenere un ciclo di miglioramento continuo, garantendo la qualità finale del prodotto o servizio.
Questo template, creato con EdrawMind, è un modello di piano di comunicazione ottimizzato, con una descrizione di circa 500 parole. È uno strumento chiave per evitare incomprensioni tra stakeholder, garantire la trasparenza e mantenere il team allineato agli obiettivi del progetto. Il modello è composto da tre elementi fondamentali e interconnessi: la matrice di comunicazione, la cadenza timeline e le regole di comunicazione/SLA. La matrice di comunicazione è una tabella dettagliata dove per ogni pubblico o stakeholder, si definisce il tipo di informazioni da condividere, lo scopo della comunicazione, il canale da utilizzare (email, riunioni, piattaforme di progetto), la frequenza, il proprietario responsabile, il formato e il percorso di escalazione in caso di problemi. La cadenza timeline è una linea temporale che definisce le scadenze delle comunicazioni chiave, garantendo che le informazioni siano condivise in momento opportuno e non si verifichino ritardi o omissioni. Le regole di comunicazione e gli accordi sul livello di servizio (SLA) definiscono le norme formali della comunicazione, come i tempi di risposta, il tono da adottare e le responsabilità di ciascun membro del team. Grazie alla struttura visuale di EdrawMind, questo template permette di pianificare la comunicazione in modo strategico, trasparente e efficiente, riducendo i rischi di cattiva informazione, migliorando la collaborazione e garantendo che tutti gli stakeholder siano informati e coinvolti nel progetto.
Semiconductor diode
semiconductor
Semiconductor material
Ge
Si
GaAs
Semiconductors are electrically neutral to the outside world
Intrinsic semiconductor
Definition: A pure semiconductor that is completely free of impurities and crystal defects
Features
Electron concentration = Hole concentration
Poor electrical conductivity
Low carrier concentration
As the temperature increases, the number of carriers increases
Intrinsic excitation: When the temperature of the semiconductor is T>0K, electrons break away from the covalent bond to form free electrons.
intrinsic carriers
Hole: A vacancy formed when an electron breaks away from a covalent bond and becomes a free electron
Free electrons: Valence electrons break covalent bonds and form freely moving electrons
impurity semiconductor
N-type semiconductor (N-Type)
Introducing 5-valent elements (Donor ions)
phosphorus
antimony
arsenic
Features
electrically neutral
High conductivity
The extra fifth electron is not associated with any specific covalent bond
P-type semiconductor (P-Type)
Introducing 3-valent elements (Acceptor ions)
boron
gallium
indium
Features
electrically neutral
Not enough electrons to form covalent bonds, creating holes
PN junction(P-N) junction
Formation: The N-type impurity region is in close contact with a P-type impurity region, and a depletion region is generated at the junction.
Carrier diffusion movement: concentration difference
Many carriers (holes) in the P-type region diffuse to the N-type region
Diffusion of electrons (electrons) from the N-type region to the P-type region
drift motion
The trapped charged ions (P-type negative ions, N-type positive ions) form a self-constructed electric field, driving the minority carriers to move toward low potential.
Features
The direction of the internal electric field of the PN junction is from the N region to the P region.
Has one-way conductivity
The external voltage causes the current to flow from N to P, with high resistance and small current.
The external voltage causes the current to flow from P to N, with low resistance and large current.
Forward bias: The P terminal is connected to positive, the N terminal is connected to negative, the depletion layer becomes narrower, aggravates the diffusion movement, prevents drift movement, and the PN junction is turned on
Reverse bias: The N terminal is connected to the positive electrode, the P terminal is connected to the negative electrode, the internal electric field is strengthened, the depletion layer becomes wider, the drift current comes from the minority carrier, the current is very small, and the PN junction is cut off
Shockley's equation:
is the reverse saturation current
is the forward bias voltage applied to the diode
is the ideal factor, usually 1
Thermal voltage:
Boltzmann's constant k
charge q
reverse breakdown
Electrical breakdown (reversible)
Zener breakdown
avalanche breakdown
Thermal breakdown (irreversible)
Diode Application
Diode equivalent circuit
ideal equivalent circuit
Current flows from the positive pole of the diode to the negative pole, and the circuit is turned on
Current flows from the negative pole of the diode to the positive pole, and the circuit is disconnected
Simplified/approximate equivalent circuit
The diode voltage cannot be ignored. The voltage of silicon diodes is generally 0.7V.
Piecewise linear equivalent circuit
Equivalent model
Ideal diode, ignore diode voltage
Simplified diode
half wave rectification
AC input, DC output
full wave rectification
limiting circuit
Resistance levels
AC resistance
Resistor type
DC or static resistance
DC resistance
AC or dynamic resistance
AC resistance depends on the DC operating point Q-Point in the diode
Average AC resistance
Line definition within range
Software used: Mindmaster
Bipolar Junction Transistors
triode
Transistor type
NPN
PNP
structure
Collector C
Emitter E
relation:
Base B
NPN
internal conditions
The emission region is highly doped
Thin base area
Large collector junction area
F
emitter junction forward biased
collector junction reverse bias
Deadline
magnified state
saturated state
DC Biasing-BJTs
Current distribution
Voltage distribution
Kirchhoff's voltage law
Amplification principle
Fixed-Bias configuation
Base-emitter loop
Collector–emitter loop
Transistor Saturation
Load-Line Analysis
Emitter stabilization bias circuit
How: Adding a resistor to the emitter can improve the stability of the transistor
Base-emitter loop
Collector-emitter loop
voltage divider bias circuit
formula
Approximate Analysis
Voltage feedback DC bias
Base-emitter loop
Collector-emitter loop
BJT AC Analysis
Amplification of communication field
DC power supply function
transistor function
BJT Transistor Modeling
AC network
Remove DC power
Coupling capacitors and bypass capacitors can be replaced by short circuits
AC equivalent circuit
re transistor model
Common emitter fixed bias
judge
judge
judge
voltage divider bias
judge
judge
CE emitter bias
emitter follower
judge
Field-Effect Transistors
Junction field effect transistor (JFET)
structure
n-channel and p-channel
JFET transfer characteristics
Shockley's equation
transfer curve
important relationship
JFET
BJT
Insulated gate field effect transistor (MOSFET)
type
n channel
Enhanced
depletion type
P channel
Enhanced
depletion type
Characteristics (n-channel depletion type)
Characteristic curve
start up
Circuit diagram
depletion type
Enhanced
The main parameters
DC parameters
Turn on voltage VT (enhanced parameter)
Pinch-off voltage VP (depletion mode parameter)
Saturation leakage current IDSS (depletion mode parameter)
DC input resistance RGS
AC parameters
Output resistance rds
Low frequency mutual conductance gm
Limit parameters
analyze
For all FETs
For JFETs and depletion mode MOSFETs
Enhanced MOSFETs